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RSS订阅原创 USB PD 3.0控制器MAX77958浪涌防护方案
最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
2025-12-01 18:00:31
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原创 USB PD 3.1控制器TPS25730浪涌防护方案
最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
2025-12-01 16:34:31
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原创 具有VBUS LDO稳压器的电源多路复用器TPS66020浪涌防护方案
最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
2025-11-29 18:09:02
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原创 降压DC/DC集成电感LMZ21701浪涌防护方案
LMZ21701微型模块是易于使用的降压直流/直流解决方案，可在空间受限的应用中驱动高达1000mA的负载。仅需一个输入电容器、一个输出电容器、一个软启动电容器和两个电阻器即可完成基本操作是低压降压稳压器（LDO）替代产品。TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。当 EOS 事件来临时，瞬态电压攀升至超过集成精密触发器所设定的击穿电压（VBR）阈值，触发电路精确的开启内置泄流场效应晶体管，有效的将瞬态高压与大电流安全释放到地。
2025-10-27 14:24:01
905
原创 高侧数字输出驱动器TPS27S100浪涌防护方案
TPS27S100是一款受到全面保护的单通道高侧开关，具有集成式NMOS和电荷泵。全面的诊断功能和高精度电流监控器功能，可对负载进行智能控制,且可调节电流限制功能能够极大地提高整个系统的可靠性。可通过外部电阻器将电流限制调节为0.5A至6A, 用于对MCU、模拟或数字接口进行多路复用的诊断使能功能。TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。
2025-10-27 11:13:54
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原创 低侧数字输出驱动器DRV8803浪涌防护方案
TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。上图部分展示了具有低侧驱动的数字输入模块的设计。本文主要是针对低侧数字输出驱动器DRV8803的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
2025-10-25 17:47:43
624
原创 低功耗DC/DC升压转换器TPS61041浪涌防护方案
TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。本文主要是针对低功耗DC/DC升压转换器TPS61041的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。表1 ESTVS1800DRVR电气特性表。
2025-10-25 11:43:51
732
原创 逐次逼近模数转换器ADS8688浪涌防护方案
TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。ADS8688作为常用的模数转换器，浪涌防护十分关键。本文主要是针对逐次逼近模数转换器ADS8688的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。
2025-10-25 10:47:14
692
原创 同步采样模数转换器ADS8588S浪涌防护方案
TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。本文主要是针对同步采样模数转换器ADS8588S的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。表1 ESTVS1400DRVR电气特性表。
2025-10-25 10:24:20
666
原创 电池反向保护二极管控制器LM74700浪涌防护方案
LM74700是一款符合汽AEC Q100标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和48V汽车电池系统）的控制。3.2V输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至–65V 的负电源电压，并提供负载保护。该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。
2025-09-15 14:05:50
872
原创 单通道数模转换器DAC8771浪涌防护方案
DAC8771是一款单通道的精密全集成16位数模转换器(DAC)，具有自适应电源管理功能，适用于工业控制应用中。自适应电源管理电路在使能后能够最大程度降低芯片功耗。通过编程设定为电流输出后，电流输出驱动器上的电源电压根据电流输出引脚处电压的连续反馈，通过降压/升压转换器在4V至32V范围内进行调节；通过编程设定为电压输出后，该电路为电压输出级(±15V)生成可编程电源电压。DAC8771包含一个LDO，用于从单电源引脚生成数字电源(5V)，特别适合用于支持隔离式应用中。
2025-09-10 17:43:20
555
原创 LDO线性稳压器TPS7A3901浪涌防护方案
TPS7A39器件是双路、单片、高PSRR、正负极低压降(LDO)稳压器，支持高达150mA的拉电流（和灌电流）。该器件的稳压输出可在外部独立调节为对称或不对称电压，因此是进行信号调节的理想型双路双极性电源。两个稳压器采用与标准数字逻辑对接的单个正逻辑使能引脚即可进行控制，可通过电容器编程的软启动功能将控制浪涌电流和启动时间。TPS7A39的内部基准电压可用外部基准电压覆盖，从而实现精密输出、获得输出电压阈量或跟踪其他电源。此外，TPS7A39具有缓冲 准输出，此输出可用作系统中其他组件的电压基准。
2025-09-10 17:20:36
777
原创 HDMI接口如何选择ESD保护器件
本文参考HDMI接口各版本规范，详细介绍了HDMI接口的引脚配置及选型要求，讨论了深回扫器件在HDMI接口电路附近是否发生闩锁效应的判断要求。
2025-08-05 14:03:25
1137
原创 拓展坞系统防护完整方案
拓展坞通常通过Type-C接口与计算机或其他设备连接,Type-C属于“全功能”型接口，它不仅同时兼容各类文件传输、视频传输、供电协议，还支持更多其他的USB方面的拓展功能，拓展坞就是利用强大的Type-C口转接出不同类型的接口，满足日常工作和生活中多样化的需要。静电可能击穿电容、电阻等元件的绝缘介质，影响其性能，进而影响扩展坞的整体功能。在方案二中，电源引脚的静电保护我们推荐湖南静芯研发的高电容单路单向ESD保护器件SEHC16F5V1UB，该器件的通流能力强，可以很好地保护电源引脚免受静电的干扰。
2025-07-18 17:41:30
1050
原创 交换机系统介绍及防护方案
本文基于交换机系统的各接口电路，介绍适合交换机系统的防护方案以及防护器件推荐，能够有效降低静电和浪涌对设备的影响，提高交换机系统的可靠性，延长设备使用寿命。堆叠接口是以太网交换机的一种特殊功能端口，主要是用来与相同品牌、型号和软件版本的以太网交换机进行堆叠连接，其中，多台堆叠交换机可视为一台交换机，用户可通过堆叠内的主交换机实现对堆叠内所有交换机的管理。交换机中的USB接口通常为USB 2.0或USB 3.0标准，Type-A接口是USB接口中最常见的类型， Type-B和Mini-USB相对较少见。
2025-06-19 11:20:35
794
原创 路由器系统介绍及防护方案
路由器上的USB接口可连接外部存储设备实现文件共享与媒体流式传输，连接打印机支持网络共享打印，连接3G/4G/5G上网卡提供移动网络接入，连接摄像头实现监控视频存储，部分还支持离线下载节省电脑资源，甚至能为设备供电，极大提升了路由器的实用性与便利性。路由器具有非常强大的网络连接和路由功能，可以与各种各样不同的网络进行物理连接，这就决定了路由器的接口技术非常复杂，越是高档的路由器其接口种类也就越多，因为它所能连接的网络类型越多。端口是路由器上的辅助异步串行端口，主要用于远程配置、设备管理及拨号备份。
2025-06-19 11:12:31
1264
原创 PoE系统介绍及完整防护方案
标准PoE交换机是一种符合标准PoE供电的网络交换机，内部有PoE控制芯片，在供电之前会进行检测（主要检测支持 IEEE802.3af/at/bt标准的受电端设备），以确保交换机与受电端设备之间的电源兼容，从而进行供电。由于DC直流电和数据频率互不干扰，所以可以在同一对线同时传输电流和数据。非标准PoE交换机不符合IEEE标准，供电不具有握手协议，无PoE控制芯片，没有检测过程，它不管终端设备是否支持PoE，都将通过网线为其进行供电，若是终端设备不支持PoE，使用非标准PoE交换机有可能会烧毁终端设备。
2025-06-19 10:59:24
1446
原创 笔记本电脑防护完整方案
推荐采用湖南静芯旗下ESD防护器件SELC2X5V1BT，该器件的工作电压为5V，钳位电压为仅为22V，结电容仅为0.3pF，封装为DFN0603-2L，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±25kV（空气）和 ±22kV（接触）下提供瞬变保护。液晶显示屏负责显示图像和文字；该器件专为保护该接口的高速差分线路而设计，工作电压为3.3V，钳位电压为5.5V，结电容仅为0.12pF，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV（空气）和 ±15kV（接触）下提供瞬变保护。
2025-06-19 10:39:52
1414
原创 智能手机防护完整方案
推荐采用湖南静芯旗下ESD回扫型器件SEUCS2X3V1B，该器件的工作电压为 3.3 V，钳位电压为仅5.5V，结电容仅为0.14pF，封装为DFN0603-2L，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV（空气）和 ±15kV（接触）下提供瞬变保护。，该器件采用超小型DFN0603-2L封装，工作电压为24V，钳位电压为5.6V，结电容仅为0.12pF， 符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV（空气）和 ±15kV（接触）下提供瞬变保护。
2025-06-19 10:22:17
1021
原创 平板电脑防护完整方案
推荐采用湖南静芯旗下ESD回扫型器件SEUCS2X3V1B，该器件的工作电压为 3.3 V，钳位电压为仅5.5V，结电容仅为0.14pF，封装为DFN0603-2L，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV（空气）和 ±15kV（接触）下提供瞬变保护。，该器件采用超小型DFN0603-2L封装，工作电压为24V，钳位电压为5.6V，结电容仅为0.12pF， 符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，在 ±15kV（空气）和 ±15kV（接触）下提供瞬变保护。
2025-06-19 10:15:50
1378
原创 MIPI接口静电保护方案
为集成式十引脚深回扫型ESD 保护器件，工作电压为3.3V，结电容为 0.45pF，钳位电压为8V，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，可在 ±20kV（空气）和 ±20kV（接触）下提供瞬变保护,可同时保护MIPI接口的两对数据传输高速信号差分线免受 ESD 静电放电干扰。用于摄像头到处理器的数据传输。显示串行接口，用于处理器与显示屏之间的高速数据传输，采用差分信号传输（D-PHY或C-PHY），支持多通道配置（通常1-4个数据通道），广泛应用于智能手机、平板电脑显示屏等。
2025-06-18 11:37:38
1210
原创 SD卡静电放电防护方案
三款型号都为低电容低钳位电压集成多路ESD静电二极管防护元件，可同时保护SD卡的五个引脚免受静电放电(ESD)和低等级浪涌事件的冲击与干扰。由于SD卡的集成性较高，芯片比较脆弱，经常性的热插拔导致其极易受到静电的影响，此方案采用集成多路并组合两个单路ESD静电二极管防护元器件，具有导通电压精度高、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低等特性，在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4静电放电防护需求，让后端的电路得到有效全面的防护，且做到成本最优化。PP：引脚使用推挽模式驱动。
2025-06-04 14:59:51
895
原创 SIM卡静电放电防护方案
其中前三类的数值符合 ISO/IEC 7816-3 [11]，根据使用和储存温度进行分类：Class A（-40 °C to +85 °C ）、Class B（-40 °C to +105 °C）、Class C（-40 °C to +125 °C），Class D是 ISO/IEC 7816-3 [11] 中规定值的进一步发展。验证通过后，用户即可享受网络运营商提供的各种服务。怎么让产品稳定可靠的运行，成为我们迫切需要处理的问题，常规的ESD静电防护器件可能会影响数据的传输，造成音质失真等现象；
2025-06-04 14:56:02
876
原创 USB3.0/3.1静电放电防护方案
不使用传统的 PN 结 TVS 二极管进行保护，而是使用额定浪涌 FET 作为主要保护元件，用作压控开关，与标准 TVS 器件相比具有优越的箝位和温度特性，能有效保护包含 PD功能的 USB Type-C接口和雷电4接口，该器件采用浪涌额定场效应管作为主要保护元件，当检测到 EOS 事件时，即瞬态电压攀升至超过集成精密触发器所设定的击穿电压（VBR）阈值，触发电路立即启动，开启泄流场效应管，有效地将瞬态电流安全释放到地。可以提供高达100W的功率，则VBUS上的最大电压可以达到20V，最大电流为5A。
2025-06-04 10:07:08
1468
原创 RS-232静电防护方案
RS-232标准定义了详细的电气特性和数据传输协议，支持点对点的异步通信方式，尽管其传输速率相较于现代标准较低，通常在20kbps至数百kbps之间，但它在短距离通信中依然表现出色，特别是在需要直接连接计算机与调制解调器、打印机、扫描仪等设备的场景中。方案二：我们选择了SMB15CA TVS作为防护器件，可保护敏感半导体元件免受高等级浪涌事件和雷击事件的冲击与干扰,尤其是在远距离传输过程中，线路在极端的工作环境下极易受到外来信号的冲击与干扰，在未做保护的前提下，芯片受到瞬态脉冲的冲击后可能导致芯片损坏。
2025-05-29 10:37:45
537
原创 USB 2.0静电保护方案
目前几乎所有消费类电子设备都配备了集成的USB接口，USB规范在二十年间不断更新，已经发展为USB1.1、USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB 3.2、USB4.0。USB作为目前应用面最为广泛的端口，其使用方法无疑是非常方便的，可以即插即用、随拔即关，但因其裸露的金属座子及对外通讯的信号PIN脚，容易受到ESD脉冲、插拔尖峰脉冲电压等快速瞬变的影响，可能会损坏主机或外设收发器的精密内部电路，会对数据的传输造成影响。ESD保护组件必须能够承受较高的ESD电压冲击，且防护性能不退化。
2025-05-29 09:42:51
1007
原创 RS485/422-静电防护方案
在RS-422的基础上，进一步发展出了RS-485标准，这一标准不仅继承了RS-422的高性能传输特性，更增加了多点、双向通信的能力。此外，RS-485还显著增强了发送器的驱动能力，并内置了冲突保护特性，扩展了总线的共模范围，有效提升了数据传输的稳定性和可靠性。它们的特点是横截面面积大，能够高效地传导高强度的瞬态电流，为电路板级别的保护引入了卓越的电气性能特征，如超快的响应速度和极低的操作电压要求，能在布局受限、传统阵列保护方法不适用的情况下为双向线路提供保护。表2 SENC712HA电气特性表。
2025-05-29 09:35:24
1101
原创 100M/1000M以太网静电浪涌防护方案
根据数据传输速度的不同，以太网大致可以划分为几个等级：标准以太网（10Mbit/s），快速以太网（100Mbit/s），千兆以太网（1000Mbit/s），以及更快的万兆以太网（10Gbit/s）。相较于其他防护装置，TSS二极管的核心优势在于其超快的响应速度，通常在纳秒级别内即能发挥作用，迅速将瞬态能量安全地引导至地，同时保持一个稳定的钳位电压水平，从而有效保护电路免受浪涌损害。在100M以太网的防护基础上，1000M以太网添加了一款可供选择的TSS器件ES0640SCS，该器件的工作电压为58V。
2025-05-29 09:21:59
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原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势9—封装尺寸小
由于32µm远小于典型硅芯片的厚度（约120 µm-280µm，见图2），因此8/20µs浪涌脉冲的热能在硅芯片内部即可消散。TDS的2mm×2mm×0.68mm 6引脚封装比传统TVS二极管的SOD-123封装缩小60%，有效降低PCB面积，并且兼顾防护性能。对于10/1000µs浪涌事件，热量可以达到硅与封装的边界，封装热阻开始在浪涌性能中发挥作用。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 18:05:19
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原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势8—高鲁棒性与高可靠性
TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。TDS经历4000次浪涌测试后，器件的峰值电流、钳位电压以及漏电流没有产生明显变化，其相比于传统的TVS二极管具有更高的鲁棒性和可靠性。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 17:46:18
219
原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势7—损耗小与低温度降额
由于TDS具有极平缓的钳位特性，在相同峰值电流下，其钳位电压相比于TVS降低30%，因此TDS耗散的功率更小。由表1可知，如果在相同的35A浪涌电流下观察TDS与TVS的钳位电压与耗散功率可知，ESTVS3300DRVR的功耗比SMAJ33A低315W，但ESTVS3300DRVR仍然能够提供与SMAJ33A相同级别的保护。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。图1 TDS与传统TVS的温度降额曲线。
2025-05-20 17:45:11
321
原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势6—低电容特性
本文对TDS与传统TVS二极管的电容特性进行对比，说明TDS产品的优势。一般情况下，保护方案的电容越低，其对信号完整性产生负面影响越小。TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 17:43:10
399
原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势5—低漏电特性
图1比较了传统TVS二极管与TDS在不同VRWM下的漏电流。湖南静芯突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态分流抑制器（Transient Diverting Suppressors，简称TDS）产品系列，用来保护电路的静电放电ESD（Electro-Static Discharge）和电气过压EOS（Electrical Over Stress）。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 17:29:38
462
原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势4—高ESD峰值泄放特性
IEC 61000-4-2是静电放电（ESD）抗扰度测试的国际标准，专门用于评估电气和电子设备在静电放电环境下的抗干扰能力。对TDS进行10次正负接触放电测试，图1测试结果表明，TDS在±10kV、±20kV和±30kV的接触放电测试后，其漏电流没有明显变化。因此，湖南静芯推出的TDS器件ESD峰值能力达到±30kV，满足IEC 61000-4-2 等级4的标准。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 17:19:39
337
原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势3—精准触发与稳定钳位
根据图2所示的钳位电压与温度的关系可以看出,传统的TVS二极管的钳位电压随温度上升而增加，对温度变化极为敏感。TDS的钳位电压在-40℃~125℃的工作温度范围内保持平缓。传统TVS二极管依赖内部的反向PN结击穿与浪涌电流泄放，由于分立器件工艺的不稳定性以及PN结的反向击穿电压对外界温度极为敏感，因此导致TVS器件的触发电压存在差异。除此之外，TVS吸收瞬态峰值电流的能力与结温和环境温度有关,随着泄放电流的增加和环境温度升高，TVS二极管的结温也随之上升，IPP直线下降且钳位电压上升。
2025-05-20 17:15:32
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原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势2—平缓电压钳位
图1展示了传统TVS二极管与TDS在泄放相同等级浪涌电流时的钳位电压波形，TDS的钳位电压比传统TVS二极管的钳位电压降低30%，有利保证系统的可靠性。因此使用TDS替代传统TVS器件具有更优的可靠性，并且不用因考虑降低TVS二极管的钳位电压而去过度设计防护方案以及后端芯片的耐压范围，进而简化系统防护方案以及降低防护方案的成本。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。
2025-05-20 17:10:22
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原创 瞬态分流抑制器（TDS）优势1—低钳位电压
在EOS事件期间，瞬态电压攀升至精密触发器所设定的击穿电压（VBR）阈值时，触发电路立即启动，开启内置的泄流场效应晶体管，有效的将瞬态高压与大电流安全转移至地。内置浪涌额定场效应晶体管的RDYN非常小，因此TDS的钳位电压与击穿电压近似相等，并且TDS的钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内基本保持恒定，如图3所示。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。图3 传统TVS二极管与TDS的钳位电压对比。
2025-05-20 17:08:32
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原创 瞬态威胁：为什么USB-PD需要TDS保护
USB-PD规范允许USB Type-C在主机和外围设备都支持USB-PD并使用兼容的USB Type-C电缆时，使用标准功率范围提供高达100W的功率，使用扩展功率范围提供高达240W的功率。更高的功率水平需要为设备的USB Type-C接口和内部IC提供强大的保护措施，以防止ESD和浪涌带来的危险。湖南静芯半导体的TDS产品可有效应对这些威胁，其紧凑的尺寸和多功能性使其成为保护USB-PD应用中的USB Type-C接口的理想选择，制造商可以在使用其高性能电子产品时为消费者提供持续可靠的体验。
2025-05-20 17:05:18
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原创 平缓钳位浪涌保护技术应用于高效系统保护
瞬态电压抑制（TVS）二极管通常是浪涌保护的热门选择。尽管它们的成本低廉和应用简单等特点使其应用广泛，但其固有的缺点仍给系统设计带来了挑战。TVS二极管对温度变化极为敏感、较高的钳位电压以及较大的封装体积，通常需要对受保护电路进行过度设计，这无疑增加了系统浪涌防护方案的复杂度以及增加系统的设计成本。湖南静芯半导体突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态浪涌分流抑制器（Transient Diverting Suppressors，简称TDS）产品系列，以防止系统中引入的瞬态浪涌事件。这种采用I
2025-05-20 16:48:34
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空空如也
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