一文读懂平面工艺、沟槽工艺、超结工艺区别

平面工艺	纯平面架构，沟道平行于硅片表面，栅极覆盖源漏区间

性能特点：导通电阻高、耐压低，但抗冲击（ESD）能力强，可靠性高；制造成熟，成本高但稳定性优异。

应用领域：平面工艺MOSFET广泛应用于数字和模拟电路、微处理器、放大器、音响、逆变器、安防、报警器以及光伏储能等领域。

全球市场份额：约 ​​40%-45%​​。

技术主导企业:英飞凌、安森美、士兰微、华润微

沟槽工艺	深窄沟槽垂直嵌入硅片，沟道沿槽壁分布，增大有效通道截面积

性能特点：导通电阻低（比平面低30%-50%）、开关速度快；但体积较小，结构脆弱，抗机械冲击弱。材料利用率相对平面更高，成本更低。

应用领域：Trench工艺MOSFET常用于中低压功率MOSFET，如电源、锂电保护、直流电机控制等领域。

全球市场份额：约 ​​35%-40%​​。

技术主导企业：意法半导体、瑞萨、新洁能、东微半导。

超结工艺	垂直交替N/P柱结构（P型区深入N-层），横向耗尽机制突破硅限

性能特点：高压下导通电阻极低（达平面1/5）、开关损耗减半；但反向恢复差，工艺复杂。

应用领域：超结MOSFET主要用于高压功率MOSFET领域，如光伏逆变器、充电桩、电动汽车以及储能等领域。

全球市场份额：约 15%-20%​​。

技术主导企业：英飞凌、东芝、东微半导。