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RSS订阅原创 一文弄清芯片IC前端设计layout版图布置设计--NMOS 与 PMOS 结构及制作工艺全解析(2/3)
nmos 和 pmos 制作工艺全解析
2025-02-19 09:00:18
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原创 一文弄懂什么是芯片的纳米等级的含义，28nm，14nm，3nm工艺
因为随着半导体技术工艺的进步，随着技术的推演，上面的沟道从平面结构演变出立体结构了， 叫做finfet沟道工艺， 按上面的参数量测方法，
2025-02-16 18:51:22
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原创 一文弄清半导体结构平面MOS,DMOSFEt,VMOS,finFET,GaaFET(2/2)
管的栅极位于硅基表面上方，仅能从沟道的一侧施加电场来控制载流子的流动，栅极与沟道的接触面积有限。这种结构设计大大增加了栅极与沟道的接触面积，使栅极电场能够更充分地作用于沟道中的载流子，从而增强了对沟道电流的调控能力。栅极环绕沟道的设计使得源漏电场对沟道的影响减小，从而更好地维持沟道中的电场分布，抑制短沟道效应的发生。：更强的栅极控制能力使得载流子能够更快地响应栅极电压的变化，从而实现更快的开关速度。：随着漏极电压的增加，源极与沟道之间的势垒降低，使得更多的载流子能够从源极注入到沟道中，从而增加了漏电流。
2025-02-13 17:03:10
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原创 一文看懂半导体MOSFET，IGBT平面和沟槽 IGBT 结构，英飞凌infineon coolmos的优势
一文看懂半导体MOSFET，IGBT平面和沟槽 IGBT 结构，英飞凌infineon coolmos的优势
2025-02-10 17:05:35
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原创 一篇文章5分钟打通半导体奇经八脉--传统MOSFET与超结MOS原理比较
传统MOSFET工作原理与超结super junction MOS原理比较
2025-02-09 11:20:45
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空空如也
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