NMOS和PMOS分析总结

NMOS和PMOS分析总结

很多MOSFET管中对PMOS的介绍少的可怜，往往就是一句“和NMOS类似”就一带而过，但是NMOS和PMOS还是有很多不一样的，所以在这里对NMOS和PMOS的Large Signal Analysis和Small Signal Analysis做一下总结归纳。 Large Signal Analysis 对于MOSFET的分析，第一步就是通过Large Signal Analysis来确定MOSFET的工作范围，并通过不同工作范围下的电压电流特性来确定Small Signal Analysis下的current gain。MOSFET有三个工作范围：cut-off region, triode region and saturation region。当MOSFET作为开关使用的时候，要控制在triode region；当MOSFET作为放大器使用的时候，要控制在saturation region。 NOMS n-channel MOSFET有下面5种符号表示法，分别表示不同种类的NMOS     NMOS不同种类的符号 1.Cut-off region 条件：V GS <V TH   电压电流特性：I D =0 2.Triode region 条件：V TH <V GD  电压电流特性：I D =μn Cox W/L  [(V GS-V TH )V DS -1 /2  V²DS ]  3.Saturation region 条件：V TH >V GD   电压电流特性：I D =1/2μn Cox W /L (VGS-VTH ) ² (1+λVDS ) 4.Transconductor: 就是Small Signal Analysis中的current gain，gm =ID/VGS 5.Output resistor：就是Small Signal Analysis中的r 0   r0 ≈1/λID   PMOS p-channel MOSFET一样有5种符号表示法，分别代表不同种类的PMOS     PMOS不同种类的符号