STM32F103VET6高密度布线与铺铜优化学习笔记

STM32F1外部SRAM扩展实战:FSMC配置与IS62WV51216驱动 静态RAM(SRAM)是一种无需刷新、访问延迟确定的高速易失性存储器,广泛应用于嵌入式系统中作为片外缓存或帧缓冲。其核心原理基于并行地址译码与异步时序控制,依赖建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold Time)保障信号稳定性。相比SDRAM的复杂行列寻址,SRAM提供更简明的硬件接口与更低的驱动开销,技术价值体现在确定性实时响应与零管理负担。典型应用场景包括TFT-LCD图形界面、音频解码缓冲、RTOS大内存任务栈等。本文围绕STM32F1系列的FSMC控制器,详解如何在满足引脚资源约束(如仅 阅读详情

绘制STM32F103VET6板子如图所示。然后对板子进行布线。

选择布线中的布线模式,将布线模式改成阻挡。

点击设计中的设计规则,将导线与导线之间的距离改为6mil。

对板子进行布线,初步绘制信号走线:GPIO 引出线(A/B/C/D/E 口,A0~A15、B0~B15 等)、复位 RESET、WK_UP 唤醒、LED 指示灯、BOOT 启动配置引脚、晶振信号。电流很小,线细,优先短直走线。

除了信号走线外,还有电源走线以及地线走线。其中电源走线包含 5V、3.3V 供电线路,特点:线宽更粗,承载工作电流;从电源接口 / 稳压芯片出发,给主控芯片、LED、BOOT 电路、排针引脚供电,用来降低压降。地线走线:GND引脚引出走线,后续一般配合铺铜;作用:提供电流回流路径,减小信号回路面积、抑制干扰。

该图中添加了BOOT启动电路、3V3、GND相关网络的底层连接线,上方 A9、A10、CLK、DIO 这一组引脚的底层跨线,主控芯片右侧 B 口、E 口部分 GPIO 引脚的底层连通走线,右下角 A4、A5、A3、A1、A0 等排针引脚的底层互连走线,底部 WK_UP、复位、LED 相关部分网络的底层走线。

对整体进行铺铜。

点击工具放置泪滴,点击应用。

选择铺铜区域后,点击右部分的放置/移除缝合孔。

将行距与列距设置成30mil。

再设置过孔再未成功铺铜的区域,将底层的铺铜区域通过过孔与顶层连接起来。

此时,板子自动添加如图所示的过孔,对板子进行散热等功能。

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