关于RAM的一点小见解

最新推荐文章于 2024-02-22 10:34:00 发布

chris_YC

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分类专栏：基础知识文章标签：关于RAM的分类

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/chris_leeYC/article/details/41787297

本文探讨了RAM的分类，包括静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），重点分析了两者在存储原理、单元结构、优缺点上的区别。SRAM速度快但集成度低，常用于缓存；DRAM集成度高、功耗低，是大容量RAM主流。此外，还介绍了非易失性RAM（NVRAM）、双端口RAM（DPRAM）和内容寻址RAM（CAM）这三种特殊类型的RAM及其应用场景。

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众所周知，存储器主要分为只读存储器（ROM）、闪存（flash）、随机存储器（RAM）、光磁介质存储器。

而对于随机存储器（Random-Access Memory），即我们平时所说的RAM，他和只读存储器（ROM）之间相比最大的缺点就是掉电信息会丢失，但是最大的优点却是他可以任意可擦除和可读写。本文主要对于RAM进行一些探讨。

RAM可以分为静态RAM（Static RAM）和动态RAM（Dynamic RAM），DRAM以电荷的形式进行存储，数据存储在电容器中，由于电容器会由于漏电而导致电荷的丢失，因而DRAM器件需要定期被刷新。但是SRAM是静态的，只要供电他就会保持在一个固定的值，他没有刷新周期，每个SRAM的存储单元由6个晶体管组成，而DRAM则是由一个晶体管和一个电容器组成。以下从存储原理、单元结构、优缺点等几个方面比较SRAM和DRAM的区别：

对于SRAM有：

（1）、存储原理：由触发器存储数据
（2）、单元结构：六管NMOS或OS构成
（3）、优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
（4）、缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
（5）、常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)
对于DRAM有：　　
（1）、存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
（2）、刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
（3）、刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
（