fpga控制sdram存储器的读写2：sdram初始化

一.理论知识

sdram芯片上电后，执行读写操作之前，首先要做的第一件事就是初始化，这里解释下初始化的目的。

1.在使用sdram资源的时候，要先给出芯片的地址，这个地址就是行/列地址。初始化第一步，首先就是要关闭所有bank中激活的行。虽然系统上电之后，sdram还没开始使用，没有被激活的行，但是依然要执行预充电这一步操作，确保在使用之前所有bank中没有激活的行。

2.sdram是动态存储器，物理层面是靠电容来维持电平信号，需要不断地给它刷新来给电容充电。在使用sdram资源之前，要给sdram的所有bank刷新。为了确保刷新成功，在初始化期间，要刷新多次。

3.刷新完之后，要给sdram发送模式寄存器配置指令，模式寄存器主要控制芯片的读写方式，突发方式和突发长度等配置信息。为后面的读写操作提前设置参数信息。

二.解读数据手册

1.初始化操作时序

2.延迟时间


3.配置寄存器的值

上面的时序图是从镁光公司提供的sdram芯片数据手册中截选出来的。时序图介绍：

1.sdram上电后，加载稳定的时钟信号，然后设置CKE为高电平。芯片手册要求sdram的时钟频率最高不超过166M，这里我们选用100M时钟频率。sdram要求在时钟上升沿到来的时候，所有的信号数据要准备好，sdram会在上升沿采集这些信号。我们在fpga内部定义一个100M时钟信号，所有信号都在100M时钟的上升沿赋值。但是fpga的信号传输到sdram芯片中间会有延迟，所以我们另外再定义一个100M时钟信号，比前面的100M时钟信号偏移一定的角度，新的100M时钟上升沿比前面的100M时钟早到一会儿，然后把这个新的100M时钟信号发送给sdram。这样就能确保sdram能在时钟上升沿的时候采集到稳定的信号。

2.等待至少T=100us的时间，我们这里取200us，此过程中操作命令保持为空操作命令。

3.200us等待结束后，写入预充电命令，A10设置为高电平，对所有Bank进行预充电。

4.预充电指令写入后，等待tRP时间，从上图中找到tRP最少为20ns，sdram的时钟是100M，所以我们这里设置为2个时钟周期，此过程中操作命令保持为空操作命令。

5.等待tRP时间之后，写入自动刷新命令。

6.自动刷新命令写入后，等待 tRFC时间，从上图中找到tRFC最少为66纳秒，我们设置为7个时钟周期，此过程中操作命令保持为空操作命令。

7.tRFC等待时间结束后，再次写入自动刷新命令。

8.自动刷新命令写入后，