cguj7的博客

FTL需要做到将写入尽量平摊到SSD的每个闪存块，做到雨露均沾，让每个闪存块磨损的差不多，从而保证SSD能写入更多数据，这就是常说的。SSD把每一笔用户逻辑数据写入闪存地址空间，便记录下该逻辑地址到物理地址的映射关系，下次主机想读取该数据时，固件根据这个映射关系，从闪存中读取该数据返回给用户，这是FTL的。为了避免读干扰在多次读取某个闪存块，对闪存存储单元数据可靠性的影响，在某个闪存块的读取次数达到一定阈值时，往新位置写入数据的同时，老位置上的数据会变成垃圾数据，当闪存可用空间不足时，FTL会进行。

由于闪存存在不可靠因素，因此在系统层面的SSD软硬件上需要采取一些手段来解决闪存的不可靠问题。

在读闪存页面时，为了保证其他浮栅极晶体管导通，需要在其他字线上加上一个VPASS电压，这些字线上的晶体管会受到轻微的编程，长时间有可能在量变到质变的过程中导致位翻转，由1变成0。读干扰“损人”，影响的是非读取闪存页。比如，存储单元B的已经处于不需要编程或者编程ok的状态，对应位线上的电压为2V，但由于需要对存储单元A进行编程，在字线上加了19V的电压，于是在存储单元B的控制极和衬底之间也会形成一个较大的电势差，会被注入额外的电子。写干扰，“不利己”，影响编程页不希望编程的存储单元。浮栅极的电子会在。

有个事需要注意下，因为我们在闪存页的控制极统一加了一个较高的编程电压VPRPG，但是有一些需要写1的存储单元，因为在写之前的擦除动作后该存储单元已经是1，所以说其实是无需编程的，否则可能会导致额外的电子进入存储单元。MLC存储两位数据，在存储组织上，低位数据和高位数据会存在不同的物理页上，低位数据所在的物理页称LP，高位数据所在的物理页称UP。读操作本身不会对闪存的寿命造成影响，只会影响数据的可靠性（VPASS可能会对其他字线上的存储单元造成轻微编程），但为了解决读干扰的问题，闪存固件算法会引入。