第五章 NAND闪存—闪存的基本原理

5.1.1 闪存的存储单元

        基本存储单元——类NMOS浮栅晶体管,在源级和漏极之间电流单向传导的半导体上形成存储电子的浮栅。

        用浮栅里面有无电子,表示0/1。一般,0代表有电子,有数据;1代表无电子,无数据;

        写是在控制极施加一个大电压,让电子通过隧道氧化层,进入浮栅极;

        擦是在衬底加正电压,把电子从浮栅极吸出来。

为什么闪存可以存储数据?

        因为闪存的存储结构决定,因为浮栅极里面的电子被上下两个绝缘层

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