第五章 NAND闪存—闪存可靠性问题

5.2.1 闪存为什么会发生磨损？与什么相关？

        由于闪存的结构特性，在擦写次数增加的同时会使得闪存的磨损程度加剧，进而导致浮栅极的数据变得越来越不靠谱。闪存的磨损程度用擦写次数PEC衡量，也与用户所使用的纠错算法相关。

5.2.2 什么是读干扰？

        在读闪存页面时，为了保证其他浮栅极晶体管导通，需要在其他字线上加上一个VPASS电压，这些字线上的晶体管会受到轻微的编程，长时间有可能在量变到质变的过程中导致位翻转，由1变成0。

        读干扰“损人”，影响的是非读取闪存页。

5.2.3 什么是写干扰？

        比如，存储单元B的已经处于不需要编程或者编程ok的状态，对应位线上的电压为2V，但由于需要对存储单元A进行编程，在字线上加了19V的电压，于是在存储单元B的控制极和衬底之间也会形成一个较大的电势差，会被注入额外的电子。写干扰，“不利己”，影响编程页不希望编程的存储单元。