PW8205A8TS SOP8封装 20V 6A N沟道MOSFET场效应管 满足ROHS标准

原创 已于 2023-12-08 10:38:38 修改 · 826 阅读 · 8 ·
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#PW8205A8TS

于 2023-12-04 11:00:19 首次发布
本文介绍了沟槽增强型MOSFETPW8205A8TSN，它具有低RDSON和快速栅极电荷，适用于小功率开关和负载开关，提供卓越性能和符合RoHS标准的可靠性。该器件采用8-pinT5SOP封装。

-PEWPW8205A8TSN沟道增强型MOSFET概述PW8205A8TS是具有极高单元密度的最高性能沟槽N-h MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合Rohs和产品的要求，具有经批准的全功能可靠性。FEATURESDRA！RDS（ON）<27 mo@VGS=4。5VN）<37 MQ@VGS-2 5able in a 8-pin T5SOP8 PackagePW 8205A 801/02 91。D1/D2产品类型绝对最大额定值（A=2s，除非另有规定）参数符号额定漏极源电压栅极源电压Vosin Current-continID.55至150可操作环境热阻连接 

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