概述
PW8205A6S采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷
以及在低至2.5V的栅极电压下工作。该设备适用于用作电池保护
或在其他交换应用中。
功能
VDS=20V，ID=6A
RDS（ON）<21 mQ2@VGS=4.5V
RDS（ON）<27 mQ2@VGS=2.5V
提供6引脚SOT23-6封装
PW8205A6S SOT23-6封装 20V 6A N沟道MOSFET场效应管 低栅极电荷
于 2023-12-04 11:02:40 首次发布
本文介绍了PW8205A6S器件，它采用先进沟槽技术，能在2.5V低栅极电压下工作，提供20VVDS和6AID，特别适合电池保护和交换应用，采用6引脚SOT23-6封装。
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