HDOJ-----4514并查集加最长路

本文探讨了一个关于园林规划设计的经典问题,通过算法解决如何构建最优风景线的问题,包括寻找环形路径及最长非环形路径的方法。

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湫湫系列故事——设计风景线

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Total Submission(s): 4316    Accepted Submission(s): 765


Problem Description
  随着杭州西湖的知名度的进一步提升,园林规划专家湫湫希望设计出一条新的经典观光线路,根据老板马小腾的指示,新的风景线最好能建成环形,如果没有条件建成环形,那就建的越长越好。
  现在已经勘探确定了n个位置可以用来建设,在它们之间也勘探确定了m条可以设计的路线以及他们的长度。请问是否能够建成环形的风景线?如果不能,风景线最长能够达到多少?
  其中,可以兴建的路线均是双向的,他们之间的长度均大于0。
 

Input
  测试数据有多组,每组测试数据的第一行有两个数字n, m,其含义参见题目描述;
  接下去m行,每行3个数字u v w,分别代表这条线路的起点,终点和长度。

  [Technical Specification]
  1. n<=100000
  2. m <= 1000000
  3. 1<= u, v <= n
  4. w <= 1000
 

Output
  对于每组测试数据,如果能够建成环形(并不需要连接上去全部的风景点),那么输出YES,否则输出最长的长度,每组数据输出一行。
 

Sample Input
3 3 1 2 1 2 3 1 3 1 1
 

Sample Output
YES

首先要说的是这道题,单用并查集是做不出来的,用并查集在根节点储存最长距离错误的,因为题目并没有说树没有枝杈,而且并不是只有一棵树,所以要遍历所有的边才能找到所有树中的最长路

然后就是并查集判断是否有环,再最长路计算就可以了,稍长了点,有段时间没写百行的代码了,不过也就是长了点,其他就没啥了


#include<cstdio>
#include<cstring>
#include<queue>
#include<algorithm>
#define maxn 1000010 
using namespace std;
int ans, num, ok, nod, s, e, cnt;
int dis[maxn], pre[maxn], head[maxn], sum[maxn];
bool vis[maxn], visi[maxn];
int find(int a){
	return a == pre[a] ? a : pre[a] = find(pre[a]);
}
void merge(int x, int y){
	int fx = find(x), fy = find(y);
	if(fx != fy){
		pre[fx] = fy;
		return ;
	}
	ok++;
}
struct node{
	int from, to, val, next;
}edge[maxn*2];
void add(int u, int v, int w){
	edge[num].from = u;
	edge[num].to = v;
	edge[num].val = w;
	edge[num].next = head[u];
	head[u] = num++;
}
void bfs(int t){
	memset(vis, false, sizeof(vis));
	memset(dis, 0, sizeof(dis));
	queue<int > Q;
	Q.push(t);
	vis[t] = true;
	ans = 0;
	while(!Q.empty()){
		int u = Q.front();
		Q.pop();
		visi[u] = true;
		for(int i = head[u]; i != -1; i = edge[i].next){
			int v = edge[i].to;
			if(!vis[v]){
				dis[v] = edge[i].val + dis[u];
				vis[v] = true;
				Q.push(v);
				if(ans < dis[v]){
					ans = dis[v];
					nod = v;
				}
			}
		}
	}
}
int main(){
	int m, n, a, b, c;
	while(~scanf("%d%d", &m, &n)){
		memset(head, -1, sizeof(head));
		memset(visi, false, sizeof(visi));
		memset(pre, 0, sizeof(pre));
		memset(visi, false, sizeof(visi));
		for(int i = 1; i <= m; i++){//本来想动态建立的,不知道为什么行不通
			pre[i] = i;
		}
		num = ok = cnt = 0;
		for(int i = 0; i < n; i++){
			scanf("%d%d%d", &a, &b, &c);
			if(ok){
				continue;
			}
			merge(a, b);
			add(a, b, c);
			add(b, a, c);
		}
		if(ok || n >= m){//m个点,m-1条边即可连通,多余的肯定成环,n>=m这个判断貌似应该再靠前一些
			printf("YES\n");
			continue;
		}
		for(int i = 1; i <= m; i++){
			if(!visi[i]){
				bfs(i);
				bfs(nod);
			}
			if(cnt < ans){
				cnt = ans;
			}
		}
		printf("%d\n", cnt);
	}
	return 0;
}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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