DDR3的一些基本知识

本文详细介绍了DDR3内存的工作原理及其关键参数,包括tRCD、CL、AL、tRC等时序参数,以及DQS、DQM、ODT等信号功能。DDR3作为DDR的升级版,采用差分信号传输,提高了传输速率和效率。内容还涉及内存的列地址选通、行地址选通、突发传输和数据访问时间等概念,帮助理解内存的内部工作机制。

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一、关于DDR

DDR3全名Double Data Rata SDRAM,目前已经更新到第六代,但是第五代与第六代还没在市场上营销。市面上以DDR3以及DDR3居多(目前本人用的VC709是DDR3),DDR的前身是SDRAM,最大的不同在于前者是差分,后者是单端。其他DDR的迭代主要是传输速率,工作电压,功耗等不同。

二、一些基本参数的理解

DDR3知识大全 - CNZHIQIANG - 博客园c

此文章对于DDR3的基本知识有一个很好的理解作用,其中包括了一些关键参数读写时序,如tRCD,CL,AL,tRC等等。下面我将列举一下较为重要的参数,方便以后复习。

ODT:DDR2以上的数据信号才有,将端电阻放到了芯片内部,后面在配置MIG IP核的时候,会有这个相关参数的配置,目前了解还不够深,后面在来补充。

CK/CKN:差分时钟,高速设计中的必备,由于DDR3是边沿读写,所以传输周期缩短了一半,要保证数据传输的稳定,这就对时钟有较高的要求,下面这张图就很好理解。

 DQS/DQSN(数据选通脉冲):每8bitDDR芯片就有一个DQS信号线,双向

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