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[SSD NAND 8.5] NAND Flash 失效之 Program Disturb | 闪存写入(编程)干扰 | 写个数据还能误伤已有资料?
1. Program Disturb 形成原因
NAND Program 原

本文详细介绍了NAND闪存中Program Disturb现象的形成原因、影响范围以及规避方法。编程干扰是由于在NAND闪存单元编程时,施加的电压导致相邻单元受到干扰,可能会改变其存储状态。尽管ECC可以纠正部分错误,但过多的干扰可能导致数据错误。文章还讨论了Pass Disturb和Program Disturb的区别,并提出了ECC纠错和数据迁移作为应对策略。
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