02_nand基础概念

基础概念

Vth分布电压

阈(yu)值电压，用于判断每个单元（cell）存储的状态数据值。一个单元划分的状态越多，控制进入栅极的电子越精细，写入的时间就越长。例如下图MLC存储单元四种状态就有四种值“11”“10”“01”“00”。

Row/Col Address

Row address：行地址 Column Address：列地址
行地址表示 LUN, Block, Page的地址。列地址表示的是page内部偏移的地址。一般来说，列是由2个Bytes地址组成，而行是由3个Bytes地址组成。行地址的位宽由flash的容量决定（block可能一个字节不够表达）

*有一些功能函数只需要发送行地址的LUN和Block即可，eg：擦除（Erase）。

LSB/CSB/MSB

   LSB：最低有效位。MSB：最高有效位。CSB：中央有效位。

单元上CSB在TLC(3bits)更能体现出来，数据的写入遵循从低位到高位（LSB->CSB->MSB）

Upper page和lower page
Upper/lower page同时绕不开LSB和M