第二讲：PN结与二极管的特性

1. PN结的伏安特性

a) 正向特性：在前面已经论述，注意存在一个死区（正向在外加电压时电流不变的那一段）。
b) 反向特性：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流也会急剧增大，这个现象就是反向击穿。
              
c) 反向击穿：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流也会急剧增大。
（1）雪崩击穿（掺杂浓度低的情况下）
  当PN结中掺杂离子浓度低的时候，PN结的长度比较大，此时又将外加电场不断加强，只要有自由电子进入到这个PN结中的电场中，就相当于一个粒子加速器，自由电子达到一定的速度之后，猛烈的撞击到一个共价键上，价电子成为一个自由电子，一个变成了两个，依次往后继续猛烈的撞击，瞬间就可以把PN结击毁。

（2）齐纳击穿（掺杂浓度高的情况下）
  当PN结中掺杂离子浓度高的时候，PN结的长度比较小，那么由电场公式E=U/D，只要稍微有点儿外加的电压，PN结中的内电场就会很大，那么价电子自己迸射出来，克服共价键的束缚，瞬间PN结击毁。

（3）二次击穿（不可逆）
  由于在雪崩击穿、齐纳击穿的过程中，都会散发着大量的热，那么温度很快就升高，那么在温度升高到一定程度的时候，PN结会被烧毁，此时所有的共价键被破坏，更多的共价键被破坏，那么就有更多的热被放出来，形成正反馈，最终PN结不可逆。

（4）温度雪崩、齐纳击穿的影响