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RSS订阅原创 放大电路的频率响应（一）
本文是第一部分，主要介绍理论内容，第二部分将介绍实际求解步骤。介绍三极管放大电路的频率响应，研究三极管低频，中频，高频段的特性，包含幅频特性和相频特性。由此引出对混合Π模型的介绍，由基础的三极管构造逐步推导而出，而且进一步介绍了混合Π模型各个单数的推导和结算，主要是CΠ电容计算。也介绍了RC高通和低通电路基本频率响应。
2025-12-15 11:24:31
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原创 基本元器件介绍-电感（二）
介绍电感的常见基本特性，属于可以用不到但是要知道的内容。这部分主要介绍电感的高频特性和功耗，包括高频模型，Q值计算，损耗的组成和计算；详细介绍了磁珠的工作原理，关键参数以及具体选型还有spice模型
2025-12-12 10:05:48
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原创 基本元器件介绍-电感（一）
介绍电感的常见基本特性，属于可以用不到但是要知道的内容。特别是频率特性，基本结构，基本参数，着重介绍了电感的磁滞回线整个形成过程。总结在一起方便查阅
2025-12-11 10:22:56
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原创 基本元器件介绍-电容
介绍电容的常见基本特性，属于可以用不到但是要知道的内容。特别是频率特性，基本结构，基本参数，温漂，ESR，损耗角，寿命，温漂等参数和概念了解。总结在一起方便查阅
2025-12-11 10:21:57
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原创 基本元器件介绍-贴片电阻
查漏补缺，虽然只是一个贴片电阻，但实际使用中需要考虑的因素也有很多，可能平常使用不在意，但真要较真设计还是要了解这些参数的。介绍了功率，几种表示方式，耐压值，温漂，精度等指标
2025-12-10 16:41:58
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原创 直接耦合的互补输出级的构建过程
介绍直接耦合的互补输出级的构建过程，提出问题解决问题，一步步对电路进行推导；可以从比较宏观的角度去看一个完整的放大电路的构成。
2025-12-09 14:16:37
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原创 差分放大电路介绍--由浅入深，逐步构建
详细介绍差分放大电路的构成（长尾式），从普通的直接耦合放大电路一步步推演，逐渐构建差分放大电路，重点理解这个推演的过程，有利提升对电路构建和分析的能力
2025-12-09 14:10:56
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原创 三极管放大电路介绍-由浅入深着重从底层原理分析理解（二）
主要介绍了共基极，共集电极，共发射极放大电路的基本特性和工作原理；利用H参数模型对三种放大电路进行了分析；计算三种放大电路的放大倍数，输入电阻，输出电阻；以共源极放大电路介绍了场效应管的放大电路分析方法；介绍三极管派生电路（达林顿管等）；总结了常见的几种电路耦合方式，分析了优缺点。
2025-12-04 17:55:31
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原创 三极管放大电路介绍-由浅入深着重从底层原理分析理解（一）
引入放大电路的基本概念；介绍三极管放大电路的分析方法；介绍几种共射极放大电路的来源及演变过程，理解各个元件的作用；介绍主要参数；图解法及微变等效（H参数）模型
2025-12-04 17:37:58
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原创 Pspice仿真软件的基本上使用-四种分析方式介绍
介绍Pspcie的基本使用；四种分析方法（Bias point、DC sweep、AC Sweep、Time Domain（Transient））的具体设置；各种source源的具体设置以及用途；以及参数可调元件的设置及使用方法。
2025-11-28 18:19:37
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原创 学习介绍：场效应管MOS+JFET结构及原理介绍（尽量从本质一点的角度出发去理解）
主要是加深对基础知识的理解，比如电流符号，基本结构，基本工作原理等，查漏补缺增强记忆。介绍了MOS，JFET的结构和最朴素的工作原理；介绍了伏安特性曲线；介绍了MOS的一些主要参数；
2025-11-25 17:57:17
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原创 学习：三极管共射极放大电路输入，输出伏安特性曲线的来源和推理过程。放大区，饱和区以及截止区的深层含义
本文系统分析了共射极三极管的特性曲线与极限参数。共射极特性曲线分为输入特性曲线（Ib-Ube关系）和输出特性曲线（Ic-Uce关系）。输入特性曲线呈现二极管特性，随Uce增大右移；输出特性曲线包含放大区（Ic=βIb）、饱和区（Ic≈Uce/Rc）和截止区（Ib=0）。文章还详细讨论了极限参数（ICM、PCM、击穿电压等）及其温度影响，指出温度升高会使Ube下降、Iceo增大。最后简要介绍了光电三极管的工作原理及其在光耦中的应用。全文为三极管工作特性分析提供了系统性的理论框架。
2025-11-25 09:52:11
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原创 介绍PN结基本结构，工作原理，结电容，参数来源。介绍二极管基本特性
本文摘要： 半导体基础知识与PN结特性分析 本征半导体：纯净硅/锗导电性差，温度对载流子浓度影响小 掺杂半导体： N型：多子为电子，少子为空穴 掺杂浓度影响远大于温度影响 PN结形成： 扩散运动导致空间电荷区（内建电场） 产生势垒（阻碍多子）和势阱（吸引少子） 单向导电性： 正向：削弱势垒，导通电流 反向：增强势垒，仅有微小漏电流（少子漂移） 击穿机制： 雪崩击穿（低掺杂） 齐纳击穿（高掺杂） 电容效应： 势垒电容 扩散电容 温度影响：正向压降减小，反向电流增大
2025-11-21 16:27:04
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原创 三极管的结构和底层放大原理分析
以NPN型三极管举例，介绍了三接管的基本结构；介绍了三极管放大的基本原理；介绍了三极管内部的各个电流代表的含义以及来源。
2025-11-20 18:03:16
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电子工程中晶体与晶振的技术解析及其应用场景
2025-03-11
详解计算机组成-思维导图
2024-01-02
空空如也
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