VsitorZL的博客

PN结与二极管的特性1. PN结的伏安特性2. PN结的电容效应3. 半导体二极管1. PN结的伏安特性a) 正向特性：在前面已经论述，注意存在一个死区（正向在外加电压时电流不变的那一段）。b) 反向特性：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流也会急剧增大，这个现象就是反向击穿。              c) 反向击穿：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流

PN结与二极管的特性1. 电子技术发展史2. 模电学习总思路3. 第一章：常用半导体器件 a) 基础知识  i. 本征半导体  ii. 杂质半导体（可掺杂性）  iii. PN结1. 电子技术发展史  现在的电子技术的发展来源于集成电路的发展，集成电路的发展根基来源于半导体技术的发展。半导体现象出现的很早，在19世纪末期半导体材料已经出现了，1948年末，贝尔实验室造出了第一个基于半导体的材料的晶体管（点接触型）。在1950年的时候，他们造出了像三明治形状的晶体管，这个时候使得集成变得可能。大约在195