SI3424BDV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi N-Channel MOSFET SI3424BDV-T1-GE3-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - N-Channel沟道
  - 额定电压：30V
  - 额定电流：6A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
  - 阈值电压（Vth）：1.2V
- **封装：** SOT23-6

**产品简介：**

SI3424BDV-T1-GE3-VB是VBsemi推出的N-Channel MOSFET，具有低导通电阻和高电流特性。它适用于多种应用，包括电源管理、电池管理、驱动器和开关电路等。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET适用于中低压电路设计，例如电池管理和低压开关电路。

2. **额定电流（ID）：** 6A的额定电流表明它能够处理中等功率负载，适用于大多数低至中功率电路。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为30mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。

4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理：** 可用于低压电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和开关模块。

2. **电池管理：** 适用于锂电池管理系统中的充放电控制、保护和电池平衡电路。

3. **驱动器：** 用于驱动各种负载的电路，如电机驱动器、LED驱动器和风扇驱动器等。

4. **开关电路：** 用于各种开关电路设计，如开关电源、电子开关和逆变器等。

综上所述，SI3424BDV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET，适用于多种低至中功率的电源管理、电池管理、驱动器和开关电路应用。