RQJ0429FQDQS-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0429FQDQS-VB

品牌：VBsemi

参数：

- N-Channel沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：25A
- RDS(ON)：55mΩ @ VGS=10V
- RDS(ON)：20mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：1.4V

封装：TO252

产品简介：

RQJ0429FQDQS-VB是VBsemi生产的N-Channel MOSFET，具有100V的额定电压和25A的额定电流。采用TO252封装，适用于各种高压、高功率的应用场合。

详细参数说明：

1. **额定电压（VDS）**：100V的额定电压使得该器件能够适用于较高电压的电路，提供了更广泛的应用场景。
2. **额定电流（ID）**：25A的额定电流使得该器件能够承受较大的电流负载，适用于高功率应用。
3. **导通电阻（RDS(ON)）**：在10V的栅源电压下，RDS(ON)为55mΩ，提供了较低的导通电阻，降低了功率损耗。
4. **阈值电压（Vth）**：1.4V的阈值电压使得该器件易于控制，适用于各种电路设计。

该产品适用领域和模块举例：

1. **电源管理**：由于其高额定电压和额定电流，RQJ0429FQDQS-VB可用于开关电源、逆变器等高功率电源管理应用，例如工业电源和UPS系统。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电动驱动系统中，该MOSFET可用于驱动电动机、电池管理系统等，提供高效的功率转换。
3. **工业控制**：在工业控制系统中，RQJ0429FQDQS-VB可用于电机控制、逆变器和电源开关等高功率应用，确保系统的稳定性和可靠性。
4. **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，该器件可用于逆变器，将太阳能板产生的直流电转换为交流电，为电网供电或用于独立发电系统。

总的来说，RQJ0429FQDQS-VB是一款高性能、高压、高功率的N-Channel MOSFET，适用于各种高功率、高压应用场合，包括工业、汽车、太阳能等领域。