2SK1591-T1B-A-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 2SK1591-T1B-A-VB 产品简介

2SK1591-T1B-A-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 SOT23-3 封装，适用于低功率和中低电压应用。该型号具有低漏源电压和适中的导通电阻，适用于多种电子设备和模块。其主要特点包括 100V 的漏源电压（VDS）、3000mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V 的导通电阻（RDS(ON)）、0.26A 的连续漏极电流（ID）以及 1.5V 的阈值电压（Vth）。这些特性使其适合用于低功率开关、电源管理和信号放大等应用。

### 详细参数说明

| 参数        | 数值                    | 单位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封装类型    | SOT23-3                 |      |
| 配置        | 单 N 沟道               |      |
| 漏源电压 (VDS) | 100                     | V    |
| 栅源电压 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 阈值电压 (Vth)  | 1.5                     | V    |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3000                    | mΩ   |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800                    | mΩ   |
| 漏极电流 (ID)   | 0.26                    | A    |
| 技术        | 沟道                    |      |

### 应用领域和模块示例

2SK1591-T1B-A-VB MOSFET 适用于多个领域和模块，主要包括以下几个方面：

1. **低功率开关**：在需要控制低功率设备的开关电路中，如 LED 灯控制、小型电机驱动等，2SK1591-T1B-A-VB 的低阈值电压和低漏源电压特性非常适用。

2. **电源管理**：在低电压电源管理中，如便携式设备和电池供电系统中，该型号可以用作开关或调节器，提供稳定的电源输出。

3. **信号放大**：在需要放大信号的电路中，2SK1591-T1B-A-VB 可以作为信号放大器的关键部件，提供稳定的信号放大功能。

4. **电池保护**：在需要保护电池免受过电流和过电压的影响的电路中，该型号可以用作保护开关，确保电池处于安全状态。

这些示例展示了 2SK1591-T1B-A-VB 在各种低功率和低电压应用中的灵活性和实用性，使其成为许多设计师的理想选择。