### 2SK1503-01-VB MOSFET 产品概述
**简介:**
2SK1503-01-VB是VBsemi设计的N-Channel MOSFET,适用于中压应用。采用平面(Plannar)技术,具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压,适用于需要处理中等电压和电流的应用。
**特点:**
- **漏极-源极电压(VDS):** 500V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.1V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 660mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID):** 13A
- **技术:** Plannar
- **封装:** TO220
- **配置:** 单N-Channel
### 详细规格
1. **电气特性:**
- **最大漏极-源极电压(VDS):** 500V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.1V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 660mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID):** 13A
2. **热性能和机械特性:**
- **封装类型:** TO220
- **结-外界热阻:** 标准TO220封装的热阻
- **最大结温(Tj):** 由制造商指定
3. **性能特点:**
- **技术:** Plannar
- **栅极电荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
- **输入电容(Ciss):** 高频操作的典型值

### 应用示例
1. **电源转换器:**
2SK1503-01-VB可用于中压电源转换器和稳压器。其适中的电压和电流能力使其成为各种电源转换应用的理想选择。
2. **照明系统:**
该MOSFET适用于中压照明系统中的驱动电路,如LED驱动器和荧光灯镇流器。其高效率和可靠性确保了照明系统的稳定运行。
3. **工业控制系统:**
在工业控制系统中,2SK1503-01-VB可用于控制开关和电流控制器。其高电压阻隔和可靠性能使其成为工业控制设备的重要组成部分。
综上所述,VBsemi的2SK1503-01-VB MOSFET是一款适用于中压应用的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻和高电压阻隔能力,适用于电源转换、照明系统和工业控制等领域。其稳定的性能和高可靠性使其成为各种应用的理想选择。

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