2SK1399-T1B-A-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 2SK1399-T1B-A-VB 产品简介

2SK1399-T1B-A-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装。它具有60V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的栅极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth），采用Trench技术，适用于低功率应用。

### 2SK1399-T1B-A-VB 详细参数说明

- **型号：2SK1399-T1B-A-VB**
- **封装：SOT23-3**
- **极性：单N沟道**
- **漏源电压 (VDS)：60V**
- **栅源电压 (VGS)：±20V**
- **阈值电压 (Vth)：1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON))：**
  - 3100mΩ @ VGS=4.5V
  - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：0.3A**
- **技术：Trench**

### 适用领域和模块

1. **移动设备**
   - **应用实例**：由于2SK1399-T1B-A-VB 具有低导通电阻和低功率特性，适合用于移动设备中的电源管理和电路控制。

2. **低功率电子设备**
   - **应用实例**：在各种低功率电子设备中，如电子玩具、便携式计算机等，2SK1399-T1B-A-VB 可用作开关元件，确保设备的高效能和长寿命。

3. **传感器接口**
   - **应用实例**：在传感器接口电路中，2SK1399-T1B-A-VB 可以用作开关元件，确保传感器和控制器之间的稳定通信。

4. **医疗设备**
   - **应用实例**：在低功率医疗设备中，如便携式监护仪、医疗传感器等，2SK1399-T1B-A-VB 可用作关键元件，确保设备的可靠性和稳定性。

通过这些应用实例，可以看出 2SK1399-T1B-A-VB 在低功率电子设备和电路中的广泛应用，展示了其在低功率管理和控制领域中的重要性和实用性。