2N0404-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### VBsemi 2N0404-VB MOSFET 产品概述

VBsemi 2N0404-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装，适用于需要高效能功率开关和电源管理的各种应用。该器件具有稳健的性能和可靠性，适用于多种电子设备和系统。

### 详细规格

- **封装**：TO263
- **配置**：单 N-Channel
- **VDS（漏源电压）**：40V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：3V
- **RDS(ON)（漏源电阻）**：
  - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
  - 2mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）**：150A
- **技术**：Trench

### 应用示例

1. **电动汽车驱动器**：
   2N0404-VB 可用于电动汽车驱动器中的功率开关和电源管理。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为电动汽车的理想选择，有助于提高车辆的性能和效率。

2. **电源模块**：
   该 MOSFET 可用于各种电源模块中的功率开关和控制。其稳定的性能和高电流处理能力使其成为各种电源应用的关键组件。

3. **工业驱动器**：
   在工业驱动器中，2N0404-VB 可用于功率开关和控制。其稳定的性能和高电流处理能力使其成为工业自动化系统中的关键组件。

4. **LED照明**：
   由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件可用于 LED 照明系统中的功率开关和控制，有助于提高照明系统的效率和稳定性。

总的来说，VBsemi 2N0404-VB MOSFET 可在电动汽车驱动器、电源模块、工业驱动器和 LED 照明等领域中发挥重要作用，为各种应用提供高效能的功率开关和电源管理解决方案。