11N80C3-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的11N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达800V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为370mΩ，具有15A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 11N80C3-VB
- **封装**: TO247
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 800V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：370mΩ
- **ID（漏极电流）**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电力传输与分配**: 由于其高电压和电流特性，11N80C3-VB可用于电力传输与分配系统中的高压开关和线路保护器。
2. **工业控制**: 在工业控制系统中，该器件可用于功率开关和电流控制，例如在电机控制和工业机器人中。
3. **电源模块**: 该MOSFET适用于要求高电压和电流的电源模块，如开关电源和稳压器。
4. **光伏逆变器**: 在光伏逆变器中，11N80C3-VB可用作功率开关，实现光伏电能的高效转换和逆变控制。
5. **电动汽车充电器**: 由于其高电压和电流容量，该器件适用于电动汽车充电器中的功率开关和充电控制。

以上示例仅说明了11N80C3-VB可能应用的部分领域和模块，具体应用取决于设计要求和环境。