RQJ0201UGDQATL-E-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

产品型号：RQJ0201UGDQATL-E-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大电压：-20V
- 最大电流：-4A
- 开启电阻：RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压：Vth=-0.81V

应用简介：
该器件适用于SOT23封装，具有P—Channel沟道特性，最大电压为-20V，适用于一些负载要求较低电压的应用。其低开启电阻和适度的电流能力使其在一些小功率电子设备中表现良好。

示例应用领域：
1. 低功耗电子设备：由于器件具有P—Channel沟道和较低的开启电阻，适合在低功耗设备中使用，如便携式电子产品。
2. 信号开关：适用于一些需要控制信号通断的场合，如信号开关模块。
3. 电源管理：可用于一些需要P—Channel沟道的电源管理模块，提供稳定的电源输出。

请注意，具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。