E2P102L-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

器件型号: E2P102L-VB

丝印: VBA4338

品牌: VBsemi

参数:
- 2个P-Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -7A
- 沟道内阻: 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: -1.5V

封装: SOP8

应用简介:
E2P102L-VB是一款P-Channel MOSFET，适用于负电压下的功率开关和控制应用，具有低沟道内阻和高性能。

示例应用:
1. 电池保护模块: 可用于设计负电压下的电池保护电路，防止电池过充、过放和短路等情况。

2. 电源逆变器: 适用于负电压逆变器和UPS系统，实现电能的转换和调节，在电源管理和备用电源领域有广泛应用。

3. 汽车电子系统: 在汽车电子领域中，可用于车载电源管理、驱动电机和车载充电系统，提升汽车的能效和安全性。

4. 工业自动化: 在工业控制系统中，可用于负电压开关电源、电机控制和工业自动化模块中的电源管理。

5. LED照明: 作为LED驱动器中的开关元件，可实现LED照明系统中的负电压控制和调光功能，提供高效稳定的照明效果。

E2P102L-VB的特性使其适用于各种负电压控制和功率开关应用，为系统设计提供高效稳定的电源管理和保护功能。