CES2313A-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**CES2313A-VB 详细规格:**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P-Channel
  - 漏极-源极电压（V_DS）：-30V
  - 漏极电流（I_D）：-5.6A
  - 开态电阻（R_DS(ON)）：47mΩ @ V_GS=10V, V_GS=20V
  - 阈值电压（V_th）：-1V

**应用简介:**
这款SOT23封装的P-Channel MOSFET（CES2313A-VB）适用于各种应用，包括但不限于：

1. **电源管理模块：**
   - 由于其P-Channel性质和低开态电阻，非常适合电源管理模块，其中高效的开关和控制至关重要。

2. **电池保护电路：**
   - 该MOSFET可用于电池保护电路，可靠地控制充电和放电过程。

3. **电压调节模块：**
   - 由于其特性，适用于电压调节模块，有助于稳定和高效的电压控制。

4. **便携式电子设备：**
   - 考虑到SOT23封装的紧凑尺寸，这款MOSFET适用于各种便携式电子设备，其中空间是关键因素。

5. **汽车电子：**
   - 在汽车电子中的应用，例如在车辆系统内的控制模块或电压调节中。

**注意：** 请始终参考制造商提供的数据表和应用注释，以获取准确的详细信息和使用指南。