CES2309-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

CES2309-VB是VBsemi品牌的SOT23封装型号，具体参数如下：

- 丝印: VB2290
- 品牌: VBsemi
- 参数:
  - 沟道类型: P—Channel
  - 最大工作电压: -20V
  - 最大漏极电流: -4A
  - 开启电阻: RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
  - 阈值电压: Vth=-0.81V

适用封装为SOT23。

**应用简介：**

CES2309-VB适用于要求P—Channel沟道、低漏极电流、低开启电阻的场合。由于其SOT23封装，适用于有空间限制的应用。

**示例应用场景：**

1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道和低漏极电流，适合用于电源管理模块，特别是在需要负载开关的情况下。

2. **信号调理模块：** 适用于需要信号调理和开关的电路，例如信号放大器或滤波器等。

3. **低功耗设备：** 由于低阈值电压和低漏极电流，适用于需要低功耗的电池供电设备。

4. **便携式设备：** 由于其小型SOT23封装，适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑等。

请注意，具体的应用场景可能需要根据电路设计的具体要求和环境来确定。