FTU36N06N-VB一种N沟道TO251封装MOS管

型号：FTU36N06N-VB
丝印： VBFB1630
品牌： VBsemi
封装： TO251
详细参数说明：

沟道类型（Channel Type）： N—Channel
最大漏电流（Maximum Drain Current）： 25A
最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）： 60V
导通电阻（On-Resistance）： RDS(ON)=32mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压（Gate Threshold Voltage）： Vth=2.4V

应用简介：
FTU36N06N-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，具有高漏电流、低漏电压、低导通电阻等卓越性能。采用TO251标准封装，适用于多种电子应用。

主要应用领域模块：

电源开关模块： 由于FTU36N06N-VB的N—Channel结构，适用于电源开关模块，实现高效的电源控制和管理。

电机驱动模块： 可用于电机驱动模块，确保电机运行时的高效性能，例如在电动工具和小型电机驱动中。

电源逆变器模块： 适用于电源逆变器模块，用于将直流电源转换为交流电源，如太阳能逆变器。

高电流负载开关模块： 由于25A的最大漏电流，可用于高电流负载开关模块，如电源开关电路、高功率LED驱动等。

使用注意事项：

请按照厂家提供的规格书和应用指南使用，并确保工作条件在组件的规定范围内。
确保电路设计合理，以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
注意适当的散热设计，特别是在高功率应用中，以确保器件在正常工作温度范围内。
遵循焊接和封装的相关标准，确保器件与电路板的可靠连接。