SI7884BDP-T1-GE3-VB一种N沟道DFN8(5X6)封装MOS管

型号：SI7884BDP-T1-GE3-VB

丝印：VBQA1405

品牌：VBsemi

封装：DFN8(5X6)

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** N—Channel
- **最大漏电流（Maximum Drain Current）：** 75A
- **最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** 40V
- **导通电阻（On-Resistance）：** RDS(ON)=4.7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Gate Threshold Voltage）：** Vth=1.9V

**应用简介：**
SI7884BDP-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，具有高漏电流、低漏电压、低导通电阻等卓越性能。采用DFN8(5X6)标准封装，适用于多种电子应用。

**主要应用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 由于SI7884BDP-T1-GE3-VB的N—Channel结构，适用于电源开关模块，实现高效的电源控制和管理。

2. **电机驱动模块：** 由于其高漏电流和低导通电阻，可用于电机驱动模块，确保电机运行时的高效性能。

3. **电源逆变器模块：** 适用于电源逆变器模块，用于将直流电源转换为交流电源，例如用于太阳能逆变器。

4. **高电流负载开关模块：** 由于75A的最大漏电流，可用于高电流负载开关模块，如电源开关电路、高功率LED驱动等。

**使用注意事项：**
- 请按照厂家提供的规格书和应用指南使用，并确保工作条件在组件的规定范围内。
- 确保电路设计合理，以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
- 注意适当的散热设计，特别是在高功率应用中，以确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循焊接和封装的相关标准，确保器件与电路板的可靠连接。

以上是一般性的建议，具体使用时应根据实际情况和应用要求进行详细考虑。