BSP317P-VB一种P沟道SOT223封装MOS管

参数说明：
- 丝印: VBJ2201K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT223
- 类型: P—Channel 沟道
- 额定电压: -200V
- 额定电流: -0.4A
- 导通电阻: RDS(ON) = 1400mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V

应用简介：
BSP317P-VB适用于SOT223封装，是一款P-Channel沟道MOSFET。主要应用在需要负载开关的电路中，能够在低电压下实现高效的电源管理。

领域模块：
1. 电源管理模块
2. DC-DC转换器
3. 电池管理模块

作用：
在上述模块中，BSP317P-VB可用于负载开关，帮助实现高效的电能转换和管理。

使用注意事项：
1. 请确保电压和电流不超过组件的额定值。
2. 正确连接极性，避免损坏组件。
3. 避免超过阈值电压，以免影响性能。
4. 在设计中考虑散热，确保在正常工作温度范围内。
5. 遵循制造商提供的其他建议和规范。