MMBF170LT1G-VB_MOSFET产品应用与参数解析

型号  MMBF170LT1G丝印  VB162K品牌  VBsemi参数说明 - MOSFET类型  N沟道- 额定电压(VDS)  60V - 额定电流(ID)  0.3A - 开通电阻(RDS(ON))  2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth)  1.6V - 封装类型  SOT23

应用简介 这款MMBF170LT1G MOSFET是一款低功率N沟道MOSFET，适用于低功率应用场景。它具有较低的工作电流和较高的额定电压，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 - 电池管理模块 用于低功率电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。- 小功率开关模块 用于低功率开关电路、低功率开关控制等低功率应用。- 照明模块 用于低功率LED驱动、照明开关和控制电路等。- 消费电子模块 用于低功率消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，MMBF170LT1G MOSFET适用于需要低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，特别适用于低功率应用的模块。