IRLML0100TRPBF-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2023-12-25 09:41:51 发布
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#VBsemi #MOS管 #MOS #MOSFET #IRLML0100TRPBF

本文介绍了IRLML0100TRPBF(VB1102M)型号的N沟道MOSFET，具有100V耐压、2A电流和低导通电阻，特别适合低电压应用场景，如LED驱动、电源开关和电池管理，能有效降低功率损耗，提高效率。

IRLML0100TRPBF （VB1102M）
参数描述：
N沟道,100V,2A,RDS(ON),246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；SOT23


型号参数介绍：
IRLML0100TRPBF (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。


应用简介：IRLML0100TRPBF适用于低电压应用的N沟道MOSFET，常见于LED驱动、电源开关和电池管理等领域模块。
其低导通电阻有助于降低电压降和提高效率。
优势与适用领域：适用于低电压场景，如LED驱动、便携式设备和电池管理等模块。
低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。

IRLML0100TRPBF 电子元器件 MOSFET 100V SOT-23-3
2401_84084982的博客
04-10 1019
IRLML0100TRPBF MOSFET在需要低功耗、高效率、高速开关和小型化应用场景中表现最佳。
IRLML6401TRPBF-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-11 213
IRLMS6802TRPBF (VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。P沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和紧凑型应用等领域模块，特别适合要求高效率和小封装的场景。应用简介：IRLMS6802TRPBF适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。
IRLML6344TRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-11 219
该产品具有以下详细参数说明 - 类型 N沟道功率场效应管- 最大耐压 30V- 最大漏极电流 6.5A- 导通时的电阻（RDS(ON)） 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V- 栅极电压（Vgs）范围 ±20V- 阈值电压（Vth）范围 1.2V至2.2V- 封装 SOT23该产品适用于以下领域模块 - 电源开关 IRLML6344TRPBF可用于电源开关模块，实现电源的控制和转换。- 电流控制 可用于需要控制电流的模块，提供稳定的电流放大和电路控制能力。
IRLML2803TRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-26 243
型号：IRLML2803TRPBF丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；SOT23该产品具有以下详细参数说明：- 类型：N沟道功率场效应管- 最大耐压：30V- 最大漏极电流：6.5A- 导通时的电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V- 栅极电压（Vgs）范围：±20V- 阈值电压（Vth）范围：1.2V至2.2V- 封装：SOT23。
IRLML6402TRPBF-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
12-22 468
3. **功率放大器：** 在一些音频功率放大器中，IRLML6402TRPBF-VB可用于提供适当的功率放大。1. **电源管理模块：** 由于其负载能力和低开态电阻特性，可用于电源开关和调节模块，提高电源效率。2. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行精确控制的电路，如电流源、电流调节器等。4. **汽车电子模块：** 由于其负载能力和可靠性，可用于汽车电子系统中的各种模块。- 阈值电压：Vth=-0.81V。- 额定电压：-20V。- 封装：SOT23。- 最大电流：-4A。
IRLML6402TRPBF_SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
VBsemi的博客
09-21 223
该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在4.5V下）和83mΩ（在2.5V下），以及12Vgs(±V)的较高电压限制和-0.81Vth的阈值电压。对于需要使用IRLML6402TRPBF的模块，可以根据其性能特点选择适当的模块。其中，电源管理模块、功率转换模块和电源开关模块是常见的使用IRLML6402TRPBF的模块。根据具体应用需求，选择适当的模块是使用IRLML6402TRPBF的关键。在电子领域，它可用于电源管理、功率转换、电机控制和电源开关等应用中。
IRLML6346TRPBF-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
VBsemi_MOSFET的博客
11-24 615
2. **电池保护模块**：在电池供电系统中，IRLML6346TRPBF-VB 可用于电池保护电路，以防止过放电和过充电。3. **电机控制模块**：该MOSFET可用于电机控制模块，如直流电机驱动、步进电机驱动和无刷直流电机驱动。4. **电子负载模块**：在需要中等功率负载开关的应用中，例如电子负载或电源测试设备，该MOSFET可以用来实现高效的电能控制。5. **LED驱动模块**：在LED照明系统中，IRLML6346TRPBF-VB 可用于驱动LED，以实现亮度控制和颜色调节。
IRLML0060TRPBF-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
12-25 424
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压范围。2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。4. **电源管理模块:** 适用于各种电源管理应用，如开关电源、电池管理等。
IRLML5203TRPBF-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
VBsemi的博客
12-22 456
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = -1V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的最小电压。4. **最大电流 (Maximum Current):** -5.6A，表示器件能够承受的最大电流，负号表示电流方向为从漏极到源极。- 额定电压: -30V。**详细参数说明:**
IRLML2060TRPBF-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
03-21
IRLML2060TRPBF-VB是一款N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT23封装形式。该器件具有以下主要特性： - **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准。 - **TrenchFET®技术**：提供更低的导通...
IRLML5103TRPBF-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
03-21
### IRLML5103TRPBF-VB 款 P-Channel 沟道 SOT23 的 MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 IRLML5103TRPBF-VB 是一款采用 SOT-23 封装的 P-Channel 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有...
【Java设计模式】单例模式七种实现方案对比：线程安全、性能与适用场景深度解析
12-16
内容概要：文章深入剖析了Java中单例模式的七种实现方式，包括饿汉式、懒汉式（线程不安全与线程安全）、双重检查锁定（DCL）、静态内部类、枚举单例和容器式单例，详细讲解了每种写法的实现原理、优缺点及适用场景，并从性能、线程安全、代码可读性等多个维度进行对比分析，最终指出应根据实际应用场景选择最优方案。同时强调枚举单例在防止反射和序列化破坏方面的优势，以及静态内部类和DCL在延迟加载与性能之间的平衡。; 适合人群：具备一定Java基础，熟悉面向对象设计和多线程编程，工作1-3年的开发人员或希望深入理解设计模式原理的技术人员。; 使用场景及目标：①理解单例模式在高并发环境下的线程安全实现机制；②掌握如何避免反射和序列化破坏单例；③在实际项目中根据需求选择最优的单例实现方式，提升系统稳定性与性能。; 阅读建议：此资源不仅展示代码实现，更注重原理剖析和场景对比，建议结合JVM类加载机制、指令重排、synchronized与volatile关键字等知识点深入理解，并通过动手实践和调试加深对各种写法差异的认识。
内镜检查腺瘤性息肉和增生性息肉识别数据集，支持pascal voc xml,识别率可达99.4%,已标注好
12-16
数据集图片和标注详情可点击博客链接查看详情： https://backend.blog.youkuaiyun.com/article/details/155979179
含中间直流的三相电力电子变压器PET仿真模型（Simulink仿真实现）
12-16
含中间直流的三相电力电子变压器PET仿真模型（Simulink仿真实现）内容概要：本文档介绍了含中间直流环节的三相电力电子变压器（PET）的Simulink仿真模型，重点在于构建适用于综合能源系统与电网优化调度的电力电子变换装置仿真平台。该模型可用于研究PET在柔性负荷、低碳经济调度、新能源接入等场景下的运行特性与控制策略，结合文中提及的多领域仿真资源，突出其在电力系统智能化管理中的关键作用。文档还列举了大量相关科研仿真案例，涵盖微电网优化、储能配置、负荷预测及电力电子变换器建模等内容，形成以电力系统为核心的多技术交叉仿真体系。; 适合人群：电气工程、自动化、能源系统等相关专业的研究生、科研人员及从事电力电子与智能电网开发的工程技术人员。; 使用场景及目标：①用于电力电子变压器PET的拓扑结构与控制策略研究；②支撑综合能源系统、微电网、储能优化等领域的仿真验证；③为含高比例可再生能源的电网低碳经济调度提供模型基础；④配合Matlab/Simulink环境开展教学与科研建模。; 阅读建议：建议结合文档中提供的网盘资源下载完整仿真模型，重点关注PET的中间直流环节建模与系统级集成应用，同时可参考文中列出的优化算法与控制策略实现方法，进行二次开发与仿真验证。
postgre 15.12数据库的tar镜像
12-16
postgre 15.12数据库的tar镜像
算法设计基于深度优先的回溯法搜索策略：组合优化问题中的解空间树隐式遍历与剪枝技术应用
最新发布
12-16
内容概要：本文主要介绍了回溯法的基本概念及其在算法设计中的应用。回溯法是一种基于深度优先搜索的暴力枚举策略，通过“尝试-验证-回退”的机制在解空间树中寻找可行解或最优解。文章强调了回溯法的四个关键特性：采用深度优先方式遍历解空间树；具有试探性搜索并结合剪枝优化以提高效率；适用于解空间大且存在多约束条件的组合优化问题；以及通过递归或迭代隐式遍历解空间树，无需显式构建整棵树结构。此外，文中还列举了相关练习题，帮助理解该算法的应用场景与实现逻辑。; 适合人群：具备基本数据结构与算法基础，正在学习算法设计与分析的计算机专业学生或初级开发者；适合有一定编程经验、希望提升算法思维能力的研发人员； 使用场景及目标：①理解回溯法在解决排列、组合、子集、八皇后、图着色等经典问题中的设计思路；②掌握如何通过剪枝优化提升搜索效率；③学习如何将实际问题建模为解空间树并进行隐式遍历； 阅读建议：建议结合具体编程实践，手动实现典型回溯算法例题，并通过调试观察递归调用过程与剪枝效果，加深对回溯机制的理解。
IRLML6401TRPBF-VB SOT23封装MOSFET: 参数详解与应用指南
IRLML6401TRPBF是一款P沟道的SOT23封装MOSFET，它专为低电压、高电流应用设计。这款MOSFET的主要参数如下： 1. **电压特性**： - **最大漏源电压** (VDS): -20V，这是在正常工作条件下允许的最大电压差，确保了...
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