IRLL110TRPBF-VB一款SOT223封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-03-06 15:47:54 发布
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#MOS管 #VBsemi #MOS #mosfet #IRLL110TRPBF

本文介绍了IRLL110TRPBF型号的MOSFET，包括其N沟道特性（100V，5A，低RDS(ON)），封装SOT223，以及适用于低功率信号开关、电流控制的特性。该器件的低导通电阻和阈值电压有助于减少功率损耗。

IRLL110TRPBF（ VBJ1101M）
参数描述：
N沟道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V)；SOT223


型号参数介绍：
IRLL110TRPBF (VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。


应用简介：IRLL110TRPBF适用于低功率应用，如信号开关和电流控制。
其低导通电阻和低阈值电压有助于降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块。

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IRLL2705TRPBF-VB一种N沟道SOT223封装MOS管
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5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1~3V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压范围。2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。1. **电源开关:** 由于其N沟道性质，可用于电源开关和电源逆变器。
IRLL3303TRPBF-VB场效应管一款N沟道SOT223封装的晶体管
VBsemi的博客
01-05 412
*IRLL3303TRPBF-VB 详细参数说明和应用简介:**1. **电源模块:** 用于稳压和开关电源，提供高效的电源管理。- **型号:** IRLL3303TRPBF-VB。- **阈值电压 (Vth):** 1.5V。- **类型:** N—Channel沟道。- **最大连续漏极电流:** 7A。- **丝印:** VBJ1322。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** SOT223。- **工作电压:** 30V。**使用注意事项:**
【IRLL2705TRPBF-VB】与【IRLML0040TRPBF-VB】MOS管参数与应用领域对比
VBsemi_MOS的博客
03-04 280
前者适用于中低电流场合，而后者适用于高电流、高压场合。- IRLL2705TRPBF-VB在额定电流方面为7A，额定电压为60V，适用于相对高压和高电流场合。- IRLML0040TRPBF-VB在额定电流方面为6.5A，额定电压为30V，适用于中低电流场合。- IRLL2705TRPBF-VB适用于相对高压的环境，需考虑高压带来的潜在风险。- IRLML0040TRPBF-VB适用于中低电流场合，如电源开关、驱动电路等。- IRLL2705TRPBF-VB适用于高电流、高压场合，如开关电源、放大器等。
IRLL014NTRPBF-VB一种N沟道SOT223封装MOS管
VBsemi的博客
01-03 358
IRLL014NTRPBF-VB是一款适用于低压、低功率应用的N-Channel MOSFET，常用于信号开关和电源管理等场景。2. 信号开关：在各种信号开关电路中，用于实现信号的放大和切换，适用于通信设备和信号处理模块。1. 电源开关：在低功率电源开关电路中，用于控制电源的通断，适用于各种便携式电子设备。3. 电源管理模块：用于低功率电源管理电路，可实现电源的有效控制和管理，提高系统效率。- 导通电阻: RDS(ON) = 76mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 额定电压: 60V。
【IRLL014NTRPBF-VB】&【2SK2232-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析
VBsemi的博客
03-06 485
两者的封装不同，2SK2232-VB采用TO220F封装，而IRLL014NTRPBF-VB采用SOT223封装，具体选择取决于设计中对封装和性能的具体需求。- IRLL014NTRPBF-VB在较小的额定电流下具有相对较高的开通电阻。- IRLL014NTRPBF-VB适用于小功率应用，但具有较小的额定电流。- 2SK2232-VB在相对较高的额定电流下具有较低的开通电阻。- 2SK2232-VB适合中功率应用，具有较高的额定电流。- 较高的额定电流（45A），适用于中功率应用。
IRLR2705TRPBF_SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
VBsemi的博客
09-21 107
丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可达45A，以及低导通电阻，在10V电压下为24mΩ，在4.5V电压下为28mΩ。总之，IRLR2705TRPBF是一款性能出色的N沟道MOS管，适用于多个领域的电路设计，特别是在需要高电压、高电流和低导通电阻的场景中，为电路设计师提供了一种可靠的解决方案。电机驱动：这款MOS管在电机驱动电路中表现出色，可以应用于无刷直流电机控制、步进电机驱动以及工业自动化领域，提供可靠的电机控制和高效能量转换。
IRLR024NTRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
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其导通电阻为73mΩ@10V和85mΩ@4.5V，使其能够提供低功耗和高效率的开关特性。此外，其额定栅极源极电压为20V，阈值电压为2V，适用于各种电气设备的控制和开关需求。1. 电源供应模块：该MOSFET可用于设计和控制各种电源模块，包括开关电源、直流电源和逆变器。3. 照明控制：可用于LED照明控制模块，如LED灯带、室内照明和汽车照明系统。4. 电动汽车充电桩：用于设计和控制电动汽车充电桩模块，实现高效充电和电网连接。- 导通电阻：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V。
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浏览器 安装包 版本号 12.4.0。
水下图像处理指标（uicm,uism,uiconm,uiqm）和图像处理指标（psnr,ssim）研究（Matlab代码实现）
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IRLL2705TRPBF-VB：N沟道SOT223封装 MOSFET 技术规格
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