FLASH--M25P40/M25P10

本文详细介绍了M25P40 SPI Flash芯片的特性,包括其4MB容量、SPI接口、操作时钟频率、电源电压等。重点讲解了写使能、读状态寄存器、写状态寄存器、页读和页写数据以及扇区擦除的操作过程。同时,文中还提到了芯片在实际应用中的读写速度优势和数据完整性保护的注意事项,如断电保护和数据备份策略。

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芯片手册下载地址:
链接:https://pan.baidu.com/s/1vNk2oFDykI6fPTVlWuWIDA 提取码:wjef

M25P40芯片介绍
SPI总线兼容串行接口;
容量4MB闪存,8个扇区,每个扇区256页,每页256字节;整个芯片有2048页或者524288字节。
最大40MHz时钟频率;
2.7V至3.6V单电源电压;
页写256bytes为 1.5ms(典型);
扇区擦除(512Kbit)只需1s;
在这里插入图片描述
如下图写使能(WREN)指令设置写使能标志(WEL)位,写使能标志 (WEL)位在每一个页编辑(PP)、扇区擦除(SE)、完全擦除(BE)和写状态寄存器(WRSR)指令前必须设置。写使能(WREN) 指令在器件选择(S)置低后,发送指令代码,然后将器件选择(S)置高
在这里插入图片描述
读状态寄存器(RDSR)指令允许状态寄存器被读,状态寄存器可以在任何时间被读,甚至在编辑、擦除、写状态寄存器周期执行时,当这些周期运行时,发送新的指令接收前它一直检查读运行(WIP)位,它同样可以不间断的读状态寄存器。
在这里插入图片描述
如下图写状态寄存器(WRSR)指令允许写入状态寄存器新值,在它能被接收前,必须先发送写使能(WREN) 指令. 写使能(WREN) 指令解码执行,器件设置写使能位 (WEL)

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