镁光DDR命名规则

最新推荐文章于 2025-04-08 18:36:54 发布
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DDR(1)什么是DDR？
FPAGer
11-29 4224
认识DDR，简要梳理SDRAM到DDR的发展历程，总结DDR作用，以镁光颗粒为例介绍DDR内部结构，引脚作用等。
zynq系列器件使用vivado配置国产内存
FPGAer_QQ742875810的博客
07-03 3789
以MT41K512M8-125器件为例，介绍镁光公司器件命名的含义。MT41K为固定前缀，512M8代表512M*8bit存储容量（深度乘以宽度），-125代表速度等级，其tCK参数1.25ns，CL为11ns。本次选用SCB13H8G162BF-13KI器件，其容量是64M words x 16 bits x 8 banks=8Gb。从其命名规则可以看出，最后-13K代表CL-tRCD-tRP=11-11-11。镁光-125，ddr时钟频率是1600M；同时，ddr不同的速度等级对应不同的ddr频率。
镁光DDR3的命名
weixin_44357071的博客
10-11 677
125是指一个时钟周期需要1.25ns走完，1us对应 1MHZ, 1ns对应1000MHZ ,那么1.25ns对应的时钟频率，就先用 1/1.25得到 1.25us对应的时钟频率 = 0.8 ，然后再乘以1000，得到800就是MHZ。带宽的计算就是 800MHZ * 16(地址线位宽) * 2(ddr上升沿下降沿都读取数据)64M16的解释如图。
镁光FLASH的命名规则
12-28
FLASH的命名规则，包括容量计算和温度选择，存储介质。
镁光颗粒命名规则
qq_40010777的博客
12-05 2491
内存颗粒
现代品牌DDR3命名规则
09-17
详细规范了现代品牌的DDR2,DDR3规格定义，让人一目了然。
最新现代DDR命名规则
05-27
这个是现代的DDR2和DDR3系列的H5P系列的命名规则。
镁光DDR3 SDRAM用户手册
09-25
### 镁光DDR3 SDRAM用户手册知识点详解 #### 一、产品概述 镁光（Micron）DDR3 SDRAM是一种低电压版本的SDRAM设备，其工作电压为1.35V（1.283V~1.45V），与传统的1.5V DDR3 SDRAM设备兼容。此款内存主要应用于需要...
【一】DDR3基础知识与IMG IP
xzs520xzs的博客
03-30 2492
一、DDR3的基本知识与MIG IP核。
南亚（elixir）DDR内存芯片的命名规则.jpg
05-02
（转载的）南亚（elixir）DDR内存芯片的命名规则 DDR、DDR2、DDR3、DDr4代缓存颗粒命名可能有区别，向大佬求教 -图片转载网络，仅供参考，如有异议请联系。
韩国现代DDR命名规则
10-13
这个是原厂命名规则，供大家分享。现在大部分的HY开头的都是现代的RAM
镁光DDR3手册1Gb_1_35V_DDR3L.pdf
04-25
镁光DDR3手册
镁光DDR3 MT41J128M16数据手册
12-22
文档详细介绍了这款低功耗DDR3的数据资料，是硬件开发和软件驱动编写的好助手
nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光）.pdf
03-02
nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光）.pdf 经过我的仔细整理的，包括现有主流的nand命名规则（三星Samsung，海力士Hynix，镁光Micron）,另外还有从三星官方网站下的命名规则的pdf也一块加上了。希望对有用的人有帮助。
镁光MICRON EMMC存储芯片规格书
07-18
具有临时写保护、最大时钟频率52MHz、高速启动引导操作、睡眠模式、回放保护存储块(RPMB)、安全擦除和修剪、硬件复位信号、具有增强属性的多个分区、永久和开机写保护、双数据速率(DDR)功能、高速启动引导操作等。...
NAND FLASH命名规则
专注Android/嵌入式开发
12-22 9241
常见的nand flash的命名规则
LPDDR4内存颗粒命名规则全解析：三星、镁光、海力士、南亚、长鑫等厂商型号解码与选型指南
最新发布
启芯硬件的博客
04-08 6378
掌握颗粒命名规则，犹如获得“选型的密码本”。无论是追求极致性能的三星B-die，还是支持国产的长鑫CX系列，选对颗粒才能最大化设备潜力。未来随着LPDDR5普及，这些规则也将迭代升级，但底层逻辑不变——容量、速度、稳定性仍是铁三角！备注：部分型号可能存在厂商定制化差异，具体以官方数据手册为准。
DDR4内存颗粒命名规则与选型指南：一文看懂三星、镁光、海力士等大厂“密码”
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04-01 1万+
内存颗粒的命名规则是厂商技术实力的“暗号”，三星B-Die、海力士CJR、镁光E-Die曾统治高端市场，而长鑫的崛起为国产存储打开新局面。选型时需结合硬件项目工程预算、平台兼容性和性能需求，避免盲目追求高频。喜欢本文推送，欢迎关注。
ddr芯片的命名规则
03-22
### DDR 芯片命名规则解析 #### 1. 韩国三星 (Samsung) 的 DDR2 内存芯片编号规则 韩国三星的内存芯片编号通常由多个字段组成，这些字段分别表示不同的技术参数和制造信息。例如，在 Samsung 的 DDR2 内存芯片中，编号的第一部分通常是制造商代号 “K4X”，接着是具体的产品系列和技术细节[^1]。 - **前缀**: 表示产品线，“K4” 是常见的前缀。 - **中间位数**: 描述存储容量、数据宽度和其他技术特征。 - **后缀**: 提供封装形式以及速度等级的信息。 #### 2. 海力士 (Hynix) 的内存颗粒版本判断方法 海力士的内存颗粒编号相对复杂，其命名方式并未完全公开标准化。然而，通过观察大量实际案例可以发现一些潜在规律： - **主要组成部分**: - 制造商代码：如 H5 或者 H9 开头。 - 容量与带宽描述：这部分会标明该颗粒支持的具体速率（比如 -E/-F 后缀可能关联不同频率）。 - 封装类型指示符：用于区分 BGA 还是 FBGA 等物理形态差异[^2]。 值得注意的是，尽管存在上述推测性的解读框架，但由于缺乏官方文档的支持，某些特定字符的确切意义仍需进一步验证。 #### 3. 镁光 (Micron) 的 DDR3 命名逻辑 对于 Micron 生产的 DDR3 SDRAM 来说，它的名称结构同样遵循一定的模式来表达各项性能指标: 假设我们看到一颗标注为 MT41J128M16HA-125:IT 的 DRAM，则可分解如下： - `MT` : MagnaChip Semiconductor Corporation 编码； - `41` : 子类别定义； - `J` : 组织密度分类； - `128M` : 总体有效地址空间大小(这里即指128兆比特); - `16` : 数据总线宽度(bit), 即每次传输的数据量; - `HA` : 功能选项标签, 可能涉及工作电压等方面设定; - `-125`: CL(timing latency value)，同时也隐含着运行于800MHz下的条件[^3]. ```python def decode_micron_name(name): parts = name.split('-') base_info = parts[0] speed_code = parts[1] capacity_map = { '128M': '1Gb', '256M': '2Gb' } bus_width_map = { '16': '16-bit', '32': '32-bit' } timing_latency_value = float(speed_code)/1000 return f"Capacity:{capacity_map.get(base_info[-3:])}, Bus Width:{bus_width_map.get(base_info[-2:])}, Latency Value:{timing_latency_value} ns" print(decode_micron_name('MT41J128M16HA-125')) ``` 以上函数展示了如何基于镁光DDR3型号字符串提取关键属性的一个简单实现例子。
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