RISC-V MCU应用教程之读写内部Flash

简介

CH32V103系列是以青稞V3A处理器为核心的32位通用MCU，该处理器是基于RISC-V开源指令集设计。片上集成了时钟安全机制、多级电源管理、通用DMA控制器。此系列具有1路USB2.0主机/设备接口、多通道12位ADC转换模块、多通道TouchKey、多组定时器、多路IIC/USART/SPI接口等丰富的外设资源。

本章教程将通过程序代码进行内部FLASH读写操作。

1、CH32V103内部FLASH简介及相关函数介绍

CH32V103芯片含有一个内部FLASH，其存储数据在掉电后不会丢失，主要用于存储程序代码。芯片在重新上电并复位后，可通过加载读取内部FLASH中程序代码运行。

通常，我们可通过两种方式对内部FLASH进行读写：一是通过下载器等外部工具读写内部FLASH，二是通过芯片运行程序代码读取自身内部FLASH。本章即通过第二种方法进行内部FLASH读写。此外，就读写速度而言，读写内部FLASH比外部FLASH快的多，且由于内部FLASH掉电后数据不会丢失，因此内部FLASH剩余空间可用于存储重要数据和关键记录。

由于内部FLASH可被通过外部工具或程序代码读写，为了防止内部FLASH中存储数据被获取，某些应用会禁止读写内部FLASH内容，或在第一次运行时计算加密信息并记录到某些区域，然后删除自身的部分加密代码，这些应用都涉及到内部FLASH的操作。

CH32V103内部FLASH主要包含主存储器和信息块两块区域，其中信息块又可被分为两块系统引导代码存储区域、用户选择字和厂商配置字区域。其中，主存储器区域主要用于用户的应用程序存储，以4K字节（32 页）单位进行写保护划分；除了“厂商配置字”区域出厂锁定，用户不可访问，其他区域在一定条件下用户可操作。

CH32V103内部FLASH具有2种编程/擦除方式，具体如下：

标准编程：此方式是默认编程方式（兼容方式）。这种模式下CPU以单次2字节方式执行编程，单次1K字节执行擦除及整片擦除操作。

快速编程：此方式采用页操作方式（推荐）。经过特定