FRAM的未来是更高的密度

最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM，MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM（FRAM）在小型利基设备中得到了成功。

去年对新兴内存年报，吹捧的ReRAM，MRAM和PCRAM的三个关键新兴的记忆保持在眼睛上。但它也指出，FRAM已在诸如大众运输卡，游戏系统和功率计之类的特定市场证明了自己，其主要吸引力在于执行写入操作时的低功耗。 FRAM产品已经存在很长时间了，主要是作为缓冲应用程序的专用缓存。甚至还有一些灵活的FRAM器件，“但对于利基应用，它们的密度相对较低。

实际上，FRAM已经存在了35年。它的非易失性和低功耗是它继续受到关注的原因，因为它对许多应用程序都至关重要。由于其开关能量低，FRAM通常具有很大的吸引力，需要非常低的能量来切换这种材料，因此如果正在编程或提高比特率，则需要投入很少的能量来扭转这种极化。与其他技术相比，FRAM的开关能量最低。

但是它也面临挑战，包括高昂的处理成本，大的存储单元和更大的芯片尺寸。可扩展性对于超越小型密度利基应用来说是必不可少的。

FMC的FRAM技术使用氧化ha作为栅极绝缘体，因此可以采用标准的HKMG晶体管并对其栅极绝缘体进行改性，使其成为铁电体，从而制造出非易失性HKMG晶体管。

FRAM的有效扩展可能是使用氧化f，该氧化物通常用于帮助在标准CMOS逻辑工艺中制造高K栅极电介质层。那激发了人们对铁电存储器的新兴趣。到目前为止，还没有新的产品可以利用这种材料，但是有几个研究项目正在进行中。它显示出有望实现某些高密度和与CMOS的兼容性。

但是，FRAM仍然面临与MRAM和ReRAM相似的挑战，包括受到晶体管尺寸的限制。

氧化f几乎可以用作所有高钾金属栅极（HKMG）工艺节点的栅极绝缘体，因此可以采用标准的HKMG晶体管并对其栅极绝缘体进行改性，使其成为铁电体，从而制造出非易失性HKMG晶体管- FeFET。在性能方面，该公司的技术可以在10到15纳秒的数量级