10、常见随机存取存储器技术解析

常见随机存取存储器技术解析

1. 引言

在现代电子系统中，存储器是不可或缺的组成部分。不同类型的存储器具有各自独特的特性和应用场景，以满足多样化的需求。本文将详细介绍静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）和铁电随机存取存储器（FRAM）这三种常见的随机存取存储器技术。

2. 静态随机存取存储器（SRAM）

2.1 工作原理

SRAM 是一种利用交叉耦合反相器反馈回路来存储信息的半导体技术。其基本存储单元的原理图中，包含两个用于对存储单元进行读写操作的访问晶体管（M1 和 M2）。该单元有两个互补端口，分别称为位线（BL）和反相位线（BLn）。由于反馈回路的反相功能，这两个端口始终互为补码。这种特性使得可以通过比较这两条线来确定数据值，从而在降低单元使用的电压水平的同时，仍能检测到存储的数据值。字线用于控制访问晶体管。

2.2 结构特点

一个 SRAM 存储单元需要六个 CMOS 晶体管来实现，通常被称为 6T 配置。

2.3 性能特点

• 速度快 ：由于其底层技术采用简单的 CMOS 晶体管，与其他子系统相比，SRAM 具有非常快的性能。
• 易失性 ：SRAM 是易失性存储器，当电源移除时，交叉耦合反相器无法驱动反馈回路，数据将丢失。
• 读写功能 ：SRAM 也是读写存储器，在正常操作期间可以轻松地对存储单元进行读写操作。
• 集成性好 <