也谈氮化镓材料

最新推荐文章于 2025-07-25 17:30:00 发布
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#GAN

随着频率提升及大输出功率需求增长，传统材料难以满足更高功率密度的要求。氮化镓作为一种新材料，有效解决了这一问题。它不仅能够承受更高的功率密度，而且拥有更好的功率转换效率，尤其在连续波工作状态下，功率管A/B类的转换效率可超过43%。

参加EDI会议，发现有不少的会议内容由于氮化镓有关，而且还专门有讨论氮化镓的研讨会，随着频率的提高以及大的输出功率，现有的材料已很难在承受更大的功率密度，氮化镓的出现使这种瓶颈得到了缓解，其不但有较高的承受功率密度，还具备更好的功率转换效率，一般可以做到连续波在功率管A/B类大于43%，目前国内的厂家也在奋起直追。随笔简记！

半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍
nanfeng775a的博客
11-04 2378
氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。
氮化镓或将成为超快5G技术的关键
weixin_34406061的博客
08-01 343
5G的出现，势必会带来对更高移动网络连接速度和更大数据容量的需求。为了应对这一提升性能的需求，就需要新的基站技术。 基站是所有移动网络必须克服的一个瓶颈。也正是这个瓶颈，将目前的4G网络限制在50Mbps的平均峰值数据速度内，并阻碍它实现真正的实时传输。 相反，5G或许能实现实时无线通信，并实现10Gbps的最大数据速率。 德国弗莱堡的弗劳恩霍夫应用固...
微电子领域常用材料简介（三）氮化镓
yuzhouzhandiao的博客
05-09 1781
氮化镓（GaN）是一种具有重要战略意义的第三代半导体材料，因其独特的物理和化学性质，在多个领域展现出广泛的应用潜力。基本特性宽禁带：氮化镓具有宽带隙（约3.4eV），这使得它在可见光区域具有高透明度，对LED和激光器等光电子器件至关重要。高电子迁移率：氮化镓的电子迁移率高，这有助于提高器件的速度和功率特性。高热导率：相比于其他半导体材料，氮化镓展现出优异的热传导性能，有助于器件高效散热，提高性能和可靠性。高击穿电压：氮化镓具有高击穿电压特性，适用于高功率应用。
无人机电调中氮化镓（GaN）MOS 管的设计与应用全解析​
最新发布
bother3000的博客
07-25 2099
本文全面解析了氮化镓（GaN）MOS管在无人机电调中的设计应用。相比传统硅基MOS管，GaN凭借3.4eV禁带宽度、2000cm²/V・s电子迁移率等优势，使电调开关频率提升至1MHz、效率提高3-5%、体积缩小40%以上。报告详细阐述了GaN器件的选型标准、拓扑结构优化、驱动电路设计、PCB布局要点及热管理方案，并通过实测数据对比显示：在50A电调应用中，GaN方案总损耗降低58%，续航延长5分钟，动态响应速度提升4倍。随着国产化进程加速，GaN成本正逐步下降，全生命周期成本已低于硅基方案。
几种基于Doherty结构的GAN氮化镓功放设计方法介绍
weixin_49761275的博客
06-27 1580
摘要：本文探讨了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术在现代无线基站功率放大器中的应用。研究表明，采用三路非对称Doherty架构结合GaN HEMT器件，可以在2.11-2.17GHz频段实现1KW输出功率、65%平均效率和15dB功率增益的高性能表现。该方案通过在封装内部设置匹配网络、使用改进的Doherty结构以及优化阻抗变换，有效解决了高功率、高效率和宽带性能之间的矛盾，为蜂窝通信基站提供了创新的功率放大器解决方案。
浅谈半导体材料的发展现状.pdf
08-29
随着科技的进步，半导体材料发展至第三代，例如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽带隙半导体，它们具有更高的工作频率、更好的热稳定性以及更高的击穿电压。这些特性使它们在电力电子、射频通信、LED照明、太阳能...
显示/光电技术中的浅谈LED晶粒/芯片制造流程
11-18
近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。...
精选资源
浅谈LED晶粒/芯片制造流程
01-19
近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圆做好。...
基础电子中的浅谈LED產生有色光的方法
11-18
随着技术的发展，出现了蓝光LED，如GaN（氮化镓）制成的二元素发光管，以及使用AlGaInN（铝镓铟氮）四元素材料制造的LED，它们能够覆盖整个可见光谱甚至部分紫外光谱，极大地扩展了LED的应用领域。 描述中提到的...
transphorm氮化镓功率管-产品介绍.pdf
08-28
节能举措，如企业服务器和云数据中心电源的“80+ Titianium”，以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2，正使电源设计人员转而选择GaN开关技术，以实现更高能效的设计。
第三代半导体氮化镓GaN行业报告
03-29
HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中
TI最新可驱动GAN MOS资料
11-09
为配合使用GAN MOS提供更高功率密度产品，我公司计划开发小体积大功率产品。部分资料与朋友们分享。
氮化镓充电器优缺点简介
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真假音
05-28 5万+
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。 一、氮化镓是什么 氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。 二、氮化
让人又爱又恨的氮化镓器件 --- 记录人生第一次炸机
Jimmy的个人博客
07-13 3212
宽禁带器件也不是什么新鲜词儿了，我们常用的宽禁带电力半导体有两类 — 氮化镓GaN器件和碳化硅SiC器件。 之前尝试过用SiC器件研发了一款图腾柱PFC整流器，别的不说，这SiC是真的耐造。从头到尾，竟然没有炸过任何一片SiC MOSFET。 然后最近在做一款高功密的2kW Boost样机，换了配方，用了GaNsystem公司的氮化镓器件，于是，有了我的“处女炸”。 炸机的主要原因是软起动的逻辑没有处理好。 正文 刚开始的启动逻辑 正常的启动顺序：（状态机state） 刚启动dsp：state = Co.
【氮化镓】GaN器件可靠性及市场前景概述
荷塘阅色
05-02 1400
这篇文章为读者提供了GaN FET技术在空间应用中的全面概述，包括技术优势、面临的挑战、当前市场状况以及未来发展的方向。文章强调了GaN FET在提高电源转换效率和频率方面的潜力，同时也指出了在可靠性和辐射硬度方面的挑战。此外，文章还讨论了欧洲在开发适用于空间应用的高可靠性GaN FET方面的紧迫需求，并提出了一些建议和未来研究方向。通过这篇文章，读者可以了解到GaN FET技术在空间领域的应用前景，以及为了实现这些应用所需克服的技术障碍。
氮化镓为何这么强？从氮化镓适配器原理中剖析一二
04-07 4114
禁带宽度，意思是当硅的电子需要逃离共价键时需1.12EV的能量，而浅显意见，氮化镓的电子逃逸所需能量就需要3.42VE。所以才有第三列，击穿电场强度，氮化镓的击穿电压值是纯净硅的11倍 电子迁移率：由表格可以看出氮化镓的电子迁移率比硅的要高很多，而这里的电子迁移率意思是在一定电压，单位时间内通过物体的电子数量。所以氮化镓的开关速率就会更快，反应更加灵敏。 而热导率就可以通俗易懂的理解为散热的快慢
小米捧红氮化镓快充？看完此文让你秒懂氮化镓！
02-19 2659
2020年2月13日下午，小米通过线上直播发布会的形式，面向数百万观众，正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器 成为本次发布会的一大亮点，据小米首席执行...
氮化镓材料的PB超透镜优势
02-15
氮化镓是一种高性能的光学材料，在制作PB超透镜中有很多的优势。 1. 高光学质量: 氮化镓具有高的折射率和低的吸收率，使得它可以有效地传递高质量的光信号。 2. 耐高温: 氮化镓具有较高的热稳定性，在高温环境下仍...
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