忆阻器（Memristor）——入门知识

四种无源基本电路元件及其关系

在忆阻器领域，$\phi$最好理解为电压对时间的积分，因为忆阻器的物理机制与磁场的关系不大。
忆阻器能够通过电阻值的变化记忆流经的电荷或磁通量。

具有捏滞回线特征的材料及物理机制

材料

1. 二元氧化物；
2. 复杂钙钛矿氧化物；
3. 固态电解质材料；
4. 非晶碳材料；
5. 有机高分子材料等。

物理机制

1. 氧空位迁移导致的导电通道的形成与断裂；
2. 界面势垒调制；
3. 活性电极金属化反应导致的金属导电通道的形成与断裂；
4. 注入载流子的捕获与释放；
5. 金属-绝缘体转变机制等。

忆阻器的三条简单判据

1. 在双极性周期性电信号的激励下，器件在V-I平面的电特性为一条捏滞回线；
2. 当电信号扫描频率增大时，捏滞回线的波瓣面积持续减小；
3. 当扫描频率趋近无穷大时，捏滞回线