【POJ】Tallest Cow

探讨了在给定牛群中最高牛的身高及特定视线关系下,如何计算每头牛可能的最大身高,通过算法解决重复数据问题,实现高效求解。

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L i n k Link Link

P O J POJ POJ 3263 3263 3263

D e s c r i p t i o n Description Description

N N N头站成一行,每头牛有自己的高度,现有一头最高的牛 P P P的高度 H H H,还有 R R R对关系,有编号为 a a a的牛和编号为 b b b的牛,他们中间的牛的身高都比a,b矮,问每头牛满足条件的最高高度是多少(整数)

I n p u t Input Input

第1行:四个空格隔开的整数: N N N P P P H H H R R R
2行…R+1:两个不同的空间分开的整数 a a a b b b,(1≤ a a a,乙 ≤ b b b),表明牛 a a a可以看到牛 b b b

O u t p u t Output Output

第1行… N:第i行包含牛i的最大可能高度。

S a m p l e Sample Sample I n p u t Input Input

9 3 5 5
1 3
5 3
4 3
3 7
9 8

S a m p l e Sample Sample O u t p u t Output Output

5
4
5
3
4
4
5
5
5

T r a i n Train Train o f of of T h o u g h t Thought Thought

一开始将所有牛的高度赋为最高值,再算出每头牛被多少括号包括,用高度减下去,最后输出答案就好了
不过数据里面有重复的情况,所以要特判

C o d e Code Code

#include<cstdio>
#include<iostream>
using namespace std;
int n,p,h,r,f[10005],c[10005][10005];
int main()
{
	scanf("%d%d%d%d",&n,&p,&h,&r);
	for (int i=1; i<=n; ++i)
		f[i]=h;//赋值
	for (int i=1; i<=r; ++i)
	{
		int a; int b;
		scanf("%d%d",&a,&b);
		if (!c[a][b]) { 
			for (int i=min(a,b)+1; i<max(a,b); ++i)
		 	  f[i]--;//减去高度
		} 
		c[a][b]=true;
	}
	for (int i=1; i<=n; ++i)
		printf("%d\n",f[i]);
}
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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