静电放电(ESD)是集成电路(IC)失效的主要原因之一,尤其是在先进工艺制程中,器件对ESD的敏感性显著增加。二极管作为一种基础半导体器件,因其快速响应、低导通电阻和灵活的电路配置,在ESD保护中始终占据重要地位。本文将通过不同场景二极管的使用情况,系统阐述二极管在ESD防护中的核心作用及其技术演进。
在端口ESD防护中,二极管常与栅耦合NMOS(GCNMOS)或栅接地NMOS(GGNMOS)组成复合防护网络,在这种情况中,
静电放电(ESD)是集成电路(IC)失效的主要原因之一,尤其是在先进工艺制程中,器件对ESD的敏感性显著增加。二极管作为一种基础半导体器件,因其快速响应、低导通电阻和灵活的电路配置,在ESD保护中始终占据重要地位。本文将通过不同场景二极管的使用情况,系统阐述二极管在ESD防护中的核心作用及其技术演进。
在端口ESD防护中,二极管常与栅耦合NMOS(GCNMOS)或栅接地NMOS(GGNMOS)组成复合防护网络,在这种情况中,
3339
4383
5982

被折叠的 条评论
为什么被折叠?