芯片ESD失效分析：从认知误区到精准定位的完整解决方案

芯片ESD失效精准分析方案

原创

于 2025-09-30 15:21:52 发布 · 933 阅读

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#人工智能 #芯片 #芯片设计 #ESD静电 #ESD #产品经理 #设计规范

在芯片失效案例中，静电放电（ESD）导致的损伤占比超过25%，却常因“无明显物理痕迹”被误判为设计缺陷或批次质量问题。ESD损伤具有微观性与隐蔽性，许多工程师在分析时仅盯着I/O端口测阻值、查外观，难以找到根本原因。本文基于实际案例和失效分析（FA）实践，系统梳理ESD失效的核心逻辑与实操步骤，帮助工程师高效定位真因。

一、ESD失效的常见认知误区

ESD损伤的微观特性易使分析偏离方向，需先纠正以下误区：

常见误区	正确认知
仅通过I/O端口电性测试判断ESD损伤	ESD电流可通过电源/地网络、信号链路扩散，需全面检查内部敏感电路（如MOS管栅极、ESD防护二极管、高频信号通路）
认为“外观无烧痕就不是ESD失效”