课后作业七
分析下面两种主要主从型正沿出发寄存器,借助理论推导或仿真模拟,比较其Tc-g、Tsu、Thold。可基于课本的0.25um工艺参数或提供的0.13um工艺参数
1.1 理论分析
建立时间要保证T2输入端得到D处的值:
Tsu = Tpd-I1+Tpd-T1+Tpd-I3+Tpd-I2
保持时间由于时钟重叠不等于零。
Thold = Toverlap1-1 (=Tpd-I)
T3输入端的值在上升沿到来前已经稳定,传播时延从T3导通到Q值发生变化。
Tc-g = Tpd-T3 + Tpd-I6
1.2 仿真
Clk 与~Clk的关系,将CLK上升时长设为极短,仿真结果Clkn的低电平无法拉到底,从到达点来看,延时接近0.09ns,即overlap时间
图中红线为clk,棕黄色为D的变化,浅蓝为T2in处的电平。Tsu接近0.07~0.09ns