如果 MOSFET 栅极悬空，加直流高压，危险吗？

考虑mos的寄生电容模型如下，栅极悬空

DS突加直流电压，Cgd上的电压会发生剧烈变化，根据公式

会瞬间感应出较大的冲击电流igd，由于栅极悬空，该电流无路可走，只能给Cgs充电，导致Vgs升高，当Vgs大于门槛电压Vth时，该mos误开通，导致桥臂直通炸管子。

另外, G级加下拉电阻是必须的，但是加下拉电阻的目的是防止空间电荷在Cgs上积累而导致栅极击穿，即给空间电荷提供一条泄放回路。

在这种情况下，个人认为下拉电阻不会起到太大作用，请看下图

DS突加直流电压，会导致瞬间冲击电流igd是肯定的了，关键就在于加了下拉电阻后igd是不是主要流经下拉电阻，而不给Cgs充电。答案是否，因为下拉电阻一般是10k的量级，而igd是高频冲击电流，电容在高频处的阻抗是很小的。从简单的分流原理就可以看出，igd大部分还是会给Cgs充电，导致mos误导通

正确的做法

加入驱动电路，并把驱动拉低，给igd提供一条低阻抗的回路。如下图

作者：知乎用户
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