第一节：（4）逻辑工艺线上量测简介

本文介绍了半导体制造中的线上量测技术，包括CDSEM、HV CDSEM、Ellipsometry和OCD（SCD）。CDSEM用于量测特征尺寸和表面形貌，HV CDSEM适用于深孔和槽的量测，Ellipsometry侧重薄膜厚度，OCD则用于多维度的薄膜特性分析。此外，还讨论了套刻精度（OVL）的重要性及其在保证工艺窗口中的作用。这些技术在确保芯片质量和工艺控制中起到关键作用。

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工艺制造的量测设备可谓是多种多样，主要是单层薄膜（包括介质和金属）厚度形貌，多层薄膜结构形貌量测，套刻量测，应力的量测，元素浓度分析，甚至方块电阻的量测，当然也还有一些缺陷检测（Defect Scan & Review），这里面有的是线上量测(Inline metrology)，这些是会建立在芯片制造工艺流程里的（Process Flow）；也有的是线下量测（Offline Metrology），这些都是各个module单独管控的，大部分时候是为了监测单道工艺的稳定性而进行的监控。当然还有WAT电性量测，这个会放在工艺介绍结束之后再说，本节介绍缺陷检测以外的线上量测。

线上量测的位置大多数时候都在切割道上。我们知道，做芯片一定会用到光罩或者叫做掩膜(Mask)。在光罩上，除了会放上目标芯片，芯片与芯片之中间会有叫做切割道(Scribe Lane, 设计端也可能叫做Saw Street)的区域。这些区域会放上不同的量测图形或者标记，并在制造过程中进行制程参数监控。封装做芯片时，会以切割道为轴将每个芯片单独封装。参考下面floor Plan：

CD-bar: 一些长条状的图形，可以直接量测CD和space，分为dense型和Iso型，这个一般只作为辅助Monitor。

THK Monitor Pattern：没有图形的区域，对于特定的薄膜，只有无和有两种情况

OCD Pattern: Line/space的重复图形

Optical Pattern: 这个是不同pitch的pattern，比如poly最小pitch是108nm，更大的还有118甚至500，1000nm的，也就是space会不一样，这样实际做出来的poly CD会由于loading effect而产生差异，这个是根据需求去量测，一般会量dense和Iso各一个

OVL Mark：