（1）基础设计 — 存储器（mem）读写设计及仿真验证

少卿不在大理寺

已于 2022-08-09 15:36:14 修改

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分类专栏：数字IC设计从入门到实战文章标签： verilog IC

于 2022-01-12 20:26:07 首次发布

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/CAUC_learner/article/details/122455680

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本文详细介绍了如何进行基础的存储器（mem）设计，包括需求确认、RTL代码实现、测试平台（TB）设计以及仿真结果分析。在8位深、8位宽的存储器中，通过wr_en、wr_addr、wr_data进行写操作，使用rd_en、rd_addr获取rd_data。仿真结果显示，当地址为3'b001，数据为8'b1010_0010时，正确实现了数据的写入和读取。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

（一）需求确认

对一个已知深度和宽度的mem进行读写操作，而后进行验证。

（二）RTL设计

假设存储器深度为8，单个reg的宽度为8。则代码实现如下：

//define input&output 
module mem #(
    PARAMETER
)
(
    input            clk,
    input            rstn,
    input            wr_en,
    input            rd_en,
    input[2:0]       wr_addr,
    input[7:0]       wr_data,
    input[2:0]       rd_addr,
    output[7:0]      rd_data
);

//define mem
reg[7:0]      mem_01[15:0];
reg[7:0]      rd_data_r;


//write logic
always@(posedge clk or negedge rstn) begin
   if (wr_en) begin
        mem_01[wraddr]    <=

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